技术编号:6870991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种闪存器件分离栅极的制 造方法。 背景技术闪存(Flashmemory)器件由于其能够在断电时保存数据且能够可重复的 存储、读取及擦除而被广泛应用于计算机通讯和存储领域。 一个典型的闪存 存储单元包括一个掺杂的浮栅和一个控制栅极的堆叠栅极结构,控制栅极与 浮栅绝缘,浮栅位于衬底上漏极和源极中间绝缘氧化层上方。通过在控制栅 极及源漏之间施加不同的电压,衬底中的电子通过Fowler-Nordheim(F-N)隧穿 效应被注入到浮...
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