技术编号:6871107
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路的制造工艺方法,特别是涉及一种防 止高压器件电荷的方法。本发明还涉及用该方法制成的STI结构。技术背景在现在的高压器件中都会有一个浓度很淡的阱,这样在沟道表面的浓 度也会很淡。如果在工艺制程中产生大量电荷的话,会导致高压器件表面 产生很多可移动的电子,从而导致器件漏电过大,严重的会使器件失效。现有的STI (浅沟槽隔离)工艺中通常用氧化硅作为衬垫层,这种标 准的STI工艺难以防止电荷对高压器件的影响。其原因在于STI结构运用在高...
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