技术编号:6871133
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种。技术背景半导体器件通过在栅极上施加电压,而改变介质层中的电场强度,进而 控制衬底表面电场,最终改变导电沟道的导电能力。可见,栅极性能好坏对 半导体器件性能的影响至关重要,而栅极性能的好坏又主要决定于栅极结构。图1A 1D为说明现有技术中各步骤的器件剖面示意 图,如图所示,申请号为 "C脂111174.X,,的中国专利申请中提供的一种栅 极结构的制造方法为首先,如图1A所示,在半导体衬底10上顺次沉积介质层20、导电层30...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。