技术编号:6871943
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,用以抑制漏电流,并使栅极绝缘膜变薄。背景技术 可以在比例规则(scaling rule)的基础上使晶体管小型化,从而提高晶体管的集成程度和运行速度。栅极绝缘膜的减薄已经得到了发展,例如,在栅极长度为0.1μm或更小的晶体管中,可能必需要将栅极绝缘膜的厚度降低到2nm或2nm。通常,已经将多晶硅作为栅电极材料使用。原因在于,栅电极和位于其下的栅极绝缘膜之间的界面是稳定的,容易通过注入、扩散等技术将杂质引入到多晶硅中,因此,有可能通过选择杂质元...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。