技术编号:6873225
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有异质结型双极晶体管的有源元件以及开关电路装置,特别是涉及一种温度补偿型的有源元件以及开关电路装置。背景技术 异质结型双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor以下称为HBT)与通常的同质结型双极晶体管相比发射效率高且电流放大率hFE大,故可大幅度地提高基极浓度,而可在整个基极均匀地进行晶体管工作。其结果是,与GaAs MESFET(Metal Semicondutor Field Effect Tran...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。