技术编号:6873419
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性半导体存储装置领域,更具体而言,涉及一种具有浮栅电极的闪存单元NAND阵列的闪存装置及其制造方法。背景技术 已知通过晶体管结构形成非易失性闪存单元,该晶体管结构包括位于源极和漏极之间的被控制栅电极控制的沟道,以及作为存储装置提供的浮栅电极。例如,Y.-S.Yim等在IEDM2003,会议34.1中发表的“70nm NAND Flash Technology with 0.025μm2Cell Sizefor 4 Gb Flash Memo...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。