技术编号：6873493
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及保护电路元件不受过电压破坏的半导体装置。背景技术 在现有的半导体装置中，在N型半导体衬底上形成有N型外延层。在形成于外延层上的N型扩散层上重叠形成有P型扩散层。并且，在P型扩散层上形成阳极电极，并在衬底背面形成阴极电极，利用两个扩散层的PN结而构成齐纳二极管。在P型扩散层的周边形成有P型保护区域，另外，在其外侧形成有另一保护区域。与被两个保护区域包围的外延层接触地形成有肖特基势垒用金属层。由肖特基势垒用金属层的硅化物和外延层构成肖特基势垒二极管。...
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