技术编号：6874153
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及；更为具体地，涉及线宽等于或小于约100nm的动态随机存取存储器(DRAM)单元晶体管的凹陷栅图案及其制造方法。虽然本发明已应用于特定的存储器器件，但是也可以有其它的应用。背景技术 最近，因为半导体器件更需要低的电力和高的容量，使得半导体器件制造者一致投资制造更高度集成和更快速的半导体器件。因此，为了可以在有限的半导体器件芯片中集成更多的半导体器件，设计规则已持续地减小。尤其，随着动态随机存取存储器(DRAM)器件的集成规模快速改善，DRAM器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。