技术编号:6874645
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到半导体晶片、半导体器件、以及半导体器件的制造方法。背景技术 用于数字电路的元件被要求响应于高频信号而高速工作。另一方面,为了提高用于蜂窝电话的模拟电路的性能,要求降低衬底噪声(高频噪声)、降低1/f噪声、以及高的高频信号增益。而且,要求用来控制电源的高击穿电压MOS晶体管具有高的抗压性。用来在SOI衬底上制造组合这种数字电路和模拟电路或高击穿电压MOS晶体管的半导体器件的技术有了发展。从衬底噪声和高频信号增益的观点看,已经发现用来在其上形成元件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。