技术编号：6874952

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本发明涉及到，更确切地说是涉及到采用硅锗的。背景技术 由于为达到金属氧化物半导体(MOS)器件的更高速度的工作而对应变硅器件的关注，已经实现了半导体器件的小型化。在形成于硅上的互补MOS场效应晶体管(CMOSFET)中，由于载流子(亦即空穴)在p沟道MOSFET(pMOS)的沟道区中的迁移率低于载流子(亦即电子)在n沟道MOSFET(nMOS)的沟道区中的迁移率，故希望得到工作于较高速度的pMOS。在pMOS中，已知借助于将压应力施加到沟道区来提高载流子(...
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