技术编号:6874997
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,半导体器件的评估方法和半导体器件的制作方法本发明涉及一种用于评估薄膜晶体管(Thin Film Transistor之后称作TFT)特性的评估元件(之后,称作TEG(测试元件组))。此外,本发明还涉及一种TEG的制造方法、使用TEG的评估半导体器件中电特性的方法,和使用TEG评估的半导体器件。背景技术 因为常规的薄膜晶体管(TFT)由非晶半导体膜形成,所以不可能获得具有10cm2/V·Sec或更大的场效应迁移率的TFT。然而,由于出现了由结晶半导体膜形成...
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