技术编号:6875125
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置。更特别地,本发明涉及闪存装置及其制造方法,其保护浮栅和控制栅的侧壁并防止源区的有源区的凹陷以便改进装置的电特性和可靠性。背景技术 最近,具有SONOS(多晶硅/氧化物/氮化物/氧化物/半导体)结构的非易失性存储器受到了广泛关注,在于其能够加强属于其他非易失性存储装置的一些问题。这是因为上部氧化物层,即顶部氧化物,可以作为到与氮化物层的界面中的高度集中陷阱(trap)的供给者,也作为针对移动经过栅的电荷的潜在障碍物。因此,即使维持存...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。