技术编号:6875126
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,具体涉及利用阶梯栅极化不对称凹陷法(STAR)制造半导体器件的方法。 背景技术 随着半导体器件变得高度集成,诸如单元区域中电荷增加和刷新特性改善因素已经直接与半导体器件的可靠性相关。为了克服半导体器件的限制,主要需要改善刷新特性。虽然在一般的半导体器件制造方法中经常需要增大栅极尺寸以改善刷新特征,但是在设计规则和在控制通道区域中的硼浓度水平方面存在限制。因此,已经提出用于增加栅极通道长度的方法以保持硼浓度水平,并且改善刷新特性。作为增加栅极通道...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。