技术编号:6875196
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及具有电容器的。背景技术 近年来,随着半导体集成电路装置的高集成化、高性能化及高速化,提出了在DRAM(Dynamic Random Access Memory)等半导体装置中使用将高电介质膜用在电容绝缘膜中的MIM(Metal-Insulator-Metal)电容器的技术。在谋求半导体装置的微细化及高密度化方面,必须要缩小芯片中的电容器占有面积。但是,为了使存储部稳定地工作,必须要一定以上的电容值。因此,正在进行开发将具有高介电常数...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。