技术编号:6875450
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及具有非对称浮动栅极的浮动栅极快闪存储器,及此类存储器的制造和运作方法。背景技术对于改善半导体元件的密度有持续改善的需求,尤其是对于半导体存储器元件。就这一点而言,快闪存储器具有优势,尤其是与非型的快闪存储器,其提供较高密度、较低的每比特价格,以及较高的编程速度。一些现有技术的与非(NAND)型快闪存储器结构,如美国专利号4,939,690所揭示,需要形成在衬底表面的浅接面,因此浅接面会有部分与浅接面之上的晶体管栅极重叠。浅接面作为对应晶体管的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。