技术编号：6875789
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件，特别是涉及一种可容许在基极区域中施加偏压及可限制高功率金属氧化半导体元件的垂直电击穿的结构。。背景技术 常见的侧向双扩散金属氧化半导体(LDMOS)元件，例如高功率金属氧化半导体(power MOS)在电路应用上可提供较低的导通状态电阻。这类元件因为有着较低的RC时间常数，所以非常适合用在电源管理电路的输出端上。常见的LDMOS结构具有一个非常窄的通道长度，此通道长度是由在P型井中较小的P型基极区域来决定。此较小的P型基极区域则由...
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