技术编号:6876527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成半导体结构的制造方法和一种相应的集成半导体结构。背景技术 US 5,843,812描述了具有多晶硅栅极的p-MOSFET的制造工艺,其中BF2离子注入被执行到所述多晶硅栅极中,以便获得更稳定的阈值电压。尽管原则上可应用于任意集成半导体结构,但是下面的发明和潜在的问题将相对于硅技术中的集成存储电路来解释。为了改善外围器件的速度,器件长度以及栅极氧化物厚度不得不被按比例缩小。在2nm的特定厚度以下,栅极泄漏是非常重要的并且按指数规律增加。高k...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。