技术编号:6876666
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总地涉及闪存器件(flash memory device)及其制造方法,其中形成在浮置(floating)栅极与控制栅极之间的栅极电介质膜通过沉积氧化物膜和ZrO2/Al2O3/ZrO2(ZAZ)膜形成,由此能够改善闪存器件的可靠性且同时确保高耦合率(coupling ratio)。背景技术 通常,半导体存储器件大体上分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器包括随机存取存储器(RAM)例如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SR...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。