技术编号:6876872
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种快闪存储器件,更特别地,涉及一种NAND快闪存储器件及制造该器件的方法,其中,通过扩大浮置栅极的表面积可以提高编程速度。背景技术 通过在其中形成有一隔离膜的半导体衬底上顺序地形成一隧道氧化物膜、一用于浮置栅极的导电膜、一电介质膜以及用于控制栅极的导电膜,来形成传统快闪存储器件。随着器件的线宽不断降低,一种形成使用自对准浮置栅极(此后,称为“SAFG”)的快闪存储器件的方法已经被开发出来。该形成使用SAFG的快闪存储器件的方法将在下面简单地描述...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。