技术编号:6879134
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体器件,特别涉及一种集成微结构的大功率发 光二极管封装结构。背景技术发光二极管(LED)的内量子效率和外量子效率决定着LED总的出光 效率和器件亮度。传统光源中,日光灯的发光效率为60-1001m/W,高压钠 灯的发光效率为60-1201m/W,而目前大功率氮化镓(GaN)基白光LED (蓝光 十荧光粉)的发光效率最高也只有1001m/W,普通的只有30-50 lm/W。从 LED发光原理来看,LED效率(外量子效率)主要由注入效率、...
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