技术编号:6882711
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种高压、大电流半导体芯片的割圆,側面成形、腐 蚀加工的设备,特别适合于制造3000V、 2000A以上髙压、大功率晶闸管。技术背景目前国内晶闸管台面的成形方法主要是磨角法、喷砂法,所成台面为 一个正角、 一个负角,割圆方法为用钻床带圆形割刀,或激光割圆,为之所用的腐蚀 方法为旋转腐蚀和或涂胶手工腐蚀。现已有一些半导体器件的制造方法申请专利,如《台面型半导体器件的制造方法》 (专利号申请号85100501),它是采用金刚砂轮刀在已形成半导体器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。