专利名称：高压大功率晶闸管双正角成形设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种高压、大电流半导体芯片的割圆，側面成形、腐 蚀加工的设备，特别适合于制造3000V、 2000A以上髙压、大功率晶闸管。
技术背景目前国内晶闸管台面的成形方法主要是磨角法、喷砂法，所成台面为 一个正角、 一个负角，割圆方法为用钻床带圆形割刀，或激光割圆，为之所用的腐蚀 方法为旋转腐蚀和或涂胶手工腐蚀。
现已有一些半导体器件的制造方法申请专利，如《台面型半导体器件的制造方法》 (专利号申请号85100501)，它是采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上 的管芯二边开槽形成井字形的台面.所开的槽与P—n结界面接近垂直。《制作半导体 台面惻向电流限制结构的技术》(专利号申请号96109615. 2)，它是由下列步骤组成的 第一步，在衬底材料上进行第一次外延生长，第二步，将所述一次外延层腐蚀或刻蚀 成目标器件所要求的台面，第三步，采用气相外延法等进行第二次外延生长，第四步， 将对应于台面上方的部分阻塞层挖穿，第五步，进行第三次外延生长，该外延层覆盖 挖穿部分。
发明内容本实用新型的目的是针对上述现状，设计一种可实现双正角工艺，可提 髙正反转折电压的对称性，提高芯片面积利用率，提髙成品率的高压大功率晶闸管双正 角成形设备。
本实用新型目的的实现方式为高压大功率晶闸管双正角成形设备，平台l一边 固定有固定支撑架8，相对的另一边有供被动支撑架2左右移动的滑槽25,后边供滑 块2K 22滑动的滑槽35、 13，固定支撑架8上安有由电机10、传动皮带、传动皮带 盘12带动的主动转轴14、有割圆刀的刀架15,主动转轴14外端接真空接头11,内端 安夹具7,被动支撑架2安有与主动转轴14位置相对的被动转轴23、刀架15,下部 有嫘杆24，被动转轴23内端安夹具3,滑块21上安有刀架竖杆19，刀架横杆18通 过升降旋钮套20套在刀架竖杆19外，刀架横杆杆头有夹开双正角槽的刀片16或腐蚀 头的刀片夹具17,移动旋柄4、 5分别与滑块21、 22相连，滑块21两边有位移螺杆
31和弹簧32。 —
使用本实用新型时，通过真空接头11抽真空，芯片6吸在主动转轴的夹具7上，
移动被动转轴23上的夹具3，将芯片夹紧，割圆刀34将芯片割圆后，用开双正角槽的 刀片16开双正角槽。本实用新型可实现双正角工艺，可提髙正反转折电压的对称性， 提高芯片面积利用率，提高成品率。
图1是本实用新型结构示意图 图2是开有双正角槽的芯片结构图 图中还有电器面板9。
具体实施方式
本实用新型平台1上有固定、被动支撑架8、 2，供被动支撑架2、 滑块21、 22滑动的滑槽25、 35、 13,固定支撑架8上有主动转轴14、有割圆刀的刀 架15，外端接真空接头ll，内端安夹具7,被动支撑架2安被动转轴23、割圆刀的刀 架15，被动转轴内端安夹具3，滑块21上安有刀架杆，刀架杆杆头有夹开双正角槽的 刀片的刀片夹具17。有割圆刀的刀架15中间有折点33。
参照图l,平台1有供被动支撑架2前后移动的滑槽25，刀片夹具17上夹开双正 角槽的刀片16。使用本实用新型时，通过真空接头11抽真空，将待加工的芯片6放置 夹具7处，并被吸在其上。操纵鳔杆24，被动支撑架2带着刀架15沿滑槽25向内滑 行，使夹具3与夹具7将芯片夹紧。开启电机IO，电机通过传动皮带、传动皮带盘12 带动的主动转轴14、被动转轴23旋转，刀架15上的割圆刀34将芯片6割圆，并与 夹具3、 7平齐。
将刀架15从折点33折回。通过移动旋柄4、 5分别使滑块2K 22沿滑槽13、 35 滑动，旋转升降旋钮20,升或降刀架横杆18,位移蠊杆31、弹簧32调整滑块21前 后移动，使刀架横杆18上开双正角槽的刀片16对准芯片，开启电机IO,电机通过传 动皮带、传动皮带盘12带动的主动转轴14、被动转轴23上的芯片6旋转，开双正角 槽的刀片16在芯片上开出双正角槽26，芯片加工成如图3所示的形状。刀片16刀口 为电镀金刚石，角度为40°—60°。
从刀片夹具17上取下开双正角槽的刀片16,还可换上腐蚀头，并作防腐处理， 本实用新型即可作腐蚀机。
权利要求1、高压大功率晶闸管双正角成形设备，其特征在于平台(1)一边固定有固定支撑架(8)，相对的另一边有供被动支撑架(2)左右移动的滑槽(25)，后边供滑块(21)、(22)滑动的滑槽(35)、(13)，固定支撑架(8)上安有由电机(10)、传动皮带、传动皮带盘(12)带动的主动转轴(14)、有割圆刀的刀架(15)，主动转轴(14)外端接真空接头(11)，内端安夹具(7)，被动支撑架(2)安有与主动转轴(14)位置相对的被动转轴(23)、刀架(15)，下部有螺杆(24)，被动转轴(23)内端安夹具(3)，滑块(21)上安有刀架竖杆(19)，刀架横杆(18)通过升降旋钮套(20)套在刀架竖杆(19)外，刀架横杆杆头有夹开双正角槽的刀片(16)或腐蚀头的刀片夹具(17)，移动旋柄(4)、(5)分别与滑块(21)、(22)相连，滑块(21)两边有位移螺杆(31)和弹簧(32)。
2、 根据权利要求1所述的高压大功率晶闸管双正角成形设备，其特征在于有割 圆刀的刀架(15)中间有折点(33)。
3、 根据权利要求1所述的髙压大功率晶闸管双IH角成形设备，其特征在于刀片 (16)刀口为电镀金刚石，角度为40。一e(f。
专利摘要高压大功率晶闸管双正角成形设备，涉及一种高压、大电流半导体芯片的割圆，侧面成形加工的设备。平台上有固定、被动支撑架，供被动支撑架、滑块滑动的滑槽。固定支撑架上有主动转轴、有割圆刀的刀架，外端接真空接头，内端安夹具，被动支撑架安被动转轴、安割圆刀的刀架，被动转轴内端安夹具，滑块上安有刀架杆，刀架杆杆头有夹开双正角槽的刀片的刀片夹具。使用本实用新型时，芯片吸在主动转轴的夹具上，移动被动转轴上的夹具，将芯片夹紧，割圆刀将芯片割圆后，用开双正角槽的刀片开双正角槽。本实用新型可实现双正角工艺，可提高正反转折电压的对称性，提高芯片面积利用率，提高成品率。
文档编号H01L21/02GK201185184SQ20072014716
公开日2009年1月21日 申请日期2007年4月20日 优先权日2007年4月20日
发明者徐宏军 申请人:徐宏军