技术编号:6885756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及到半导体器件,更具体而言,涉及施加单应力衬里以 提供稳定的迁移和/或速度'背景技术公知将应力施加到一些半导体器件例如场效应晶体管(FET)以改善 其性能。当沿纵向方向(即,沿电流流动的方向)施加时,公知拉伸应力 将会改善电子迁移率(或n沟道FET (NFET)的驱动电流),同时公知 压缩应力会改善空穴迁移率(或p沟道FET (PFET)的驱动电流)。一 种将这样的应力施加到FET的方法为使用^-应力阻挡层氮化珪衬里。 例如,可以使用拉伸应力氮...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。