技术编号:6885786
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体器件的方法,该半导体器件包括场 效应管,在该方法中,在具有衬底的硅半导体主体的表面上对其提供 了第一导电类型的源极区域和漏极区域,所述源极和漏极区域位于掩 埋隔离区域上;并且在源极和漏极区域之间提供了与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区域;还提供了通过栅极电介质与半导体主体的表面分离并位于沟道区域上的栅极区域,以及其中,在其中形成了沟道区域的半导体主体中形成台面,以及其中,在利用外延生长形 成的半导体区域中的台面的两侧上形成源极...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。