技术编号:6886382
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及作为功率器件的电力用半导体器件。技术背景近年来,从节省能量的观点来看,越来越要求功率器件的特性改善。因此,除了以前的使用Si (硅)的功率器件外,作为下一代的高 耐压、低损耗的功率开关元件,认为使用SiC (碳化硅)的功率器件是有希望的。再有,在功率器件中,有金属-绝缘体(例如硅氧化物)-半导体(MIS (例如MOS))结构的场效应晶体管(FET)或肖特 基二极管等。在例如使用SiC的MOSFET中,采用按以前的4吏用Si (珪)的 MOSFET...
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