专利名称：电力用半导体器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及作为功率器件的电力用半导体器件。
技术背景近年来，从节省能量的观点来看，越来越要求功率器件的特性改善。因此，除了以前的使用Si (硅)的功率器件外，作为下一代的高 耐压、低损耗的功率开关元件，认为使用SiC (碳化硅)的功率器件是有希望的。再有，在功率器件中，有金属-绝缘体(例如硅氧化物)-半导体(MIS (例如MOS))结构的场效应晶体管(FET)或肖特 基二极管等。在例如使用SiC的MOSFET中，采用按以前的4吏用Si (珪)的 MOSFET的元件结构为基准的元件结构。由于SiC与Si相比带隙大， 故在SiC-MOSFET中，与在不到200。C工作的以前的Si - MOSFET 相比，可进行高温下的工作。在专利文献1~5中，公开了关于使用 SiC的半导体器件的技术。专利文献1:日本专利特开2005 - 310902号>^报 专利文献2:日本专利特开平9 - 22922号公报 专利文献3:日本专利特开2006 - 32456号公净艮 专利文献4:日本专利特开2000 - 101099号公报 专利文献5:日本专利特开2005 - 268430号>^才艮 在功率器件中，作为布线的金属材料，以往使用了 Al(铝)或 包含了 Al与Si、 Cu (铜)、Ti (钬)、Pd (钯)等的合金的以Al 为主要成分的Al系材料。但是，在采用了 Al系材料作为布线的金属 材料的情况下，在超过200。C的高温工作中，发生该金属材料与和半
硅膜等的反应或发生该金属材料表面的氧化，元件的可靠性容易恶 化。考虑上述那样的AI系材料的问题，在上述专利文献l中提出了 使用Cu系材料作为SiC功率器件中的布线金属。但是，Cu的热膨胀 系数是17x10-6k—1。该值与Si (热膨胀系数4.2xlO'6lC1)或SiC (热 膨胀系数3.7xl(^K")等的半导体材料差别较大。因此，如果使用Cu 系材料作为使用Si或SiC的功率器件中的布线金属材料，则在高温工 作时在功率器件中发生变形，有时元件的可靠性成为问题。发明内容本发明是鉴于上述情况而进行的，其目的在于实现作为功率器件 的电力用半导体器件，该电力用半导体器件在高温工作中难以发生布 线的金属材料与连接到半导体区上的电极等的反应且在高温工作中 难以产生变形。本发明是一种电力用半导体器件，具备具有表面的半导体层； 以在上述半导体层的上述表面的至少一部分上露出的方式在上述半 导体层内形成的、预定的导电类型的半导体区；在上述半导体区上形 成的第1绝缘膜;在上述半导体区上或上述第1绝缘膜上形成的电极； 在上述电极上形成的、而且包含Pt、 Ti、 Mo、 W、 Ta中的至少一种 的第l金属层；以及在上述第l金属层上形成的、而且包含Mo、 W、 Cu中的至少一种的第2金属层。根据本发明，具备包含Pt、 Ti、 Mo、 W、 Ta中的至少一种的第 l金属层和包含Mo、 W、 Cu中的至少一种的第2金属层。通过在第 2金属层中使用作为反应性小的材料的Mo、 W、 Cu的某一种，在将 第2金属层作为布线金属使用时，即使是高温工作，也难以发生在半 导体区上或第1绝缘膜上形成的电极与第2金属层的反应。此外，通 过在电极与第2金属层之间夹设作为反应性更小的材料的Pt、 Ti、 Mo、 W、 Ta的某一种的第l金属层，即使是高温工作，也可防止其 它的金属材料混入到电极中等的现象。此外，在第2金属层中使用包
含Cu的金属层的情况下，通过夹设第l金属层，可緩和因半导体区 与第2金属层之间的热膨胀系数的差别引起的变形。于是，可实现在 高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体区上的电极等 的反应且在高温工作中难以产生变形的电力用半导体器件。#>据以下的详细的说明和附图，本发明的目的、特征、方面和优 点会变得更加明白。
图l是示出根据实施方式l的电力用半导体器件的一部分的图。 图2是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图3是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图4是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图5是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图6是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图7是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图8是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图9是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图IO是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图ll是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。
图12是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图13是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的各制造工序的图。图14是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的变形例的图。 图15是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的变形例的图。 图16是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的变形例的图。 图17是示出根据实施方式1的电力用半导体器件的变形例的图。 图18是示出根据实施方式2的电力用半导体器件的一部分的图。 图19是示出根据实施方式2的电力用半导体器件的一部分的图。 图20是示出根据实施方式2的电力用半导体器件的一部分的图。
具体实施方式
<实施方式1〉本实施方式的电力用半导体器件，是在半导体区上或半导体区上 的绝缘膜上形成的电极上形成包含Pt、 Ti、 Mo、 W、 Ta中的至少一 种的第l金属层、在第l金属层上形成包含Mo、 W、 Cu中的至少一 种的第2金属层、在第2金属层上形成包含Pt、 Mo、 W中的至少一 种的第3金属层的SiC功率器件。图l是示出根据本实施方式的电力用半导体器件的一部分的图。 再有，图1示出SiC功率器件(作为例子，n沟道SiCMOSFET)的 元件结构的最小单位(在本申请中称为元件单位结构)的剖面，根据 本实施方式的电力用半导体器件的结构为在图1的左右方向上折叠该 元件单位结构并连续而成。如图1中所示，在作为半导体衬底的n型低电阻SiC衬底1的 表面上利用外延生长形成了用于保持耐压的作为半导体层的n型SiC 漂移层2。 n型SiC漂移层2的层厚约为3~2(Him，掺杂浓度约为 lxl015~ 15xl015/cm3。在n型SiC漂移层2的表面上形成了 p型SiC区13和n型SiC
耗尽区6。在p型SiC区13中包含p型SiC基区3和p型SiC集电 区5。再有，n型SiC耗尽区6与p型SiC基区3邻接。p型SiC集 电区5是p型SiC区13中与后述的源电极接触的部分。此外，在p 型SiC基区3的表面形成了既与n型SiC耗尽区6分离又与p型SiC 集电区5邻接的作为半导体区的n型SiC源区4。通过对n型SiC漂移层2进行离子注入和激活热处理，有选择 地形成p型SiC区13和n型SiC源区4。即，在n型SiC漂移层2 内形成作为半导体区的p型SiC区13和n型SiC源区4，使其在作 为半导体层的n型SiC漂移层2的表面的一部分上露出。p型SiC区13的层厚约为0.5 ~ 2pm，其掺杂浓度约为3xl017 ~ 20xl017/cm3。 n型SiC源区4的层厚约为0.3 ~ lpm,其掺杂浓度约为 5xl018~50xio18/cm3。此外，在p型SiC区13中与源电极接触的p 型SiC集电区5的形成中，通过另行有选择地进行离子注入来形成约 5xl018~50xl018/cm3，使其成为比其它的部分(p型SiC基区3)浓度 高的掺杂。再有，n型SiC漂移层2中未形成p型SiC区13的n型区域成 为n型SiC耗尽区6。n型SiC耗尽区6中的掺杂浓度可以是n型SiC 漂移层2的原有的摻杂浓度。另一方面，通过另行进行离子注入或在 n型SiC漂移层2的生长时在生长的同时改变掺杂浓度分布，可将n 型SiC耗尽区6中的掺杂浓度提高到约3xl016~30xl016/cm3。如果这 样来提高掺杂浓度，则可降低元件电阻。在n型SiC源区4和p型SiC集电区5上形成了与n型SiC源 区4电连接的源电极11。此外，在n型低电阻SiC衬底l的下表面形 成了漏电极12。此外，在被n型SiC源区4和n型SiC耗尽区6夹 持的部分的p型SiC基区3上、n型SiC耗尽区6上和n型SiC源区 4的一部分上形成了氧化硅膜或硅氧化氮化膜等的栅绝缘膜8与多晶 硅膜或金属膜等栅电极9的层叠结构。栅绝缘膜8的层厚例如约为 10 ~ IOO隨。在栅绝缘膜8与栅电极9的层叠结构和n型SiC源区4上形成 了氧化硅膜等的层间绝缘膜IO。再有，在栅绝缘膜8与栅电极9的层 叠结构的形成后在整个n型SiC漂移层2的表面上形成层间绝缘膜 10。然后，去除层间绝缘膜IO中源电极ll的预定形成区域的部分。 在该去除部分的内部，形成源电极ll。即，在n型SiC漂移层2的表 面上且在形成源电极11的区域以外的区域中存在层间绝缘膜10。此 外，用Ni或包含Ni的金属层形成源电极ll和漏电极12。此外，如 图1中所示，在层间绝缘膜10上延伸地形成了第1至第3金属层14~ 16。在源电极11上形成了第1金属层14。此外，在第1金属层14 上形成了第2金属层15。此外，在第2金属层15上形成了第3金属 层16。这些第1至第3金属层14 ~ 16互相结合起来起到布线金属层 的功能。第2金属层15是承担作为布线的主要功能的部分。用包含反应 性小且电传导度大的Cu (铜)、Mo (钼)、W (鴒)中的至少一种 的金属膜构成第2金属层15。此外，可以是这些金属的单层膜，也可 以是包含这些三种金属中的至少一种的多层膜或合金膜。层厚例如约 为綱 700nm。此外，第1金属层14具有防止层间绝缘膜10 (构成材料是氧化 硅膜)或源电极ll (构成材料是Ni系金属)与作为布线的第2金属 层15在高温工作中反应而导致元件特性的恶化的功能。此外，第1 金属层14具有也防止第2金属层15与作为栅电极9的构成材料的多 晶硅发生反应的功能。第l金属层14包含作为反应性小的材料的Ti(钛)、Pt(铂)、 Ta (钽)这三种或热膨胀系数与Si或SiC等的半导体材料接近的Mo (钼，其热膨胀系数是5.1xlO"IC1) 、 W (鴒，其热膨胀系数是 4.5xlO"IC1)这两种共计五种金属中的至少一种。具体地说，作为第 1金属层14，可使用上述五种金属的各单层膜、或包含五种金属中的 某一种的合金膜、或包含五种金属的某一种的单层膜的多层膜。例如，作为合金膜，除了 TiW或WSi那样的金属相互间的合金
膜外，也可使用TiN、 WN、 WSiN、 TaN那样的氮化物。此外，作为 多层膜，例如也可使用以若干周期层叠了 Pt与Ti的层叠结构的 Pt/Ti/Pt/Ti…Pt/Ti那样的结构。此外，也可使用将上述的合金膜或氮 化物与金属膜作成了层叠结构的Ti/TiN、 TaN/Ta那样的结构。第1金属层14的层厚在单层膜中例如为约5~100nm，在层叠 结构中约为10~200nm。在以热膨胀系数接近于Si或SiC等的半导 体材料的Mo或W为主要成分的情况下，可作成比较厚的层厚。再有，作为第2金属层15与第1金属层14的层叠结构的组合， 例如可采取Cu/Ti/TiN、 Cu/WSiN、 Cu/WSi、 Cu/TaN/Ta、 Cu/Pt/Ti、 W/WN、 W/Pt/Ti、 W/TiN、 Mo/TiN、 Mo/Pt/Ti等各种各样的结构。此外，在承担作为布线的主要功能的第2金属层15以Cu为主 要成分的情况下，如果考虑SiC与第2金属层15的热膨胀系数的差 别，则作为第1金属层14，希望使用包含W的合金膜或使用将包含 反应性更小的Ti的约5 ~ 20nm的薄膜作成与源电极11相接的最下层 膜的层叠膜。与此不同，在承担作为布线的主要功能的第2金属层15 以Mo或W为主要成分的情况下，由于SiC与第2金属层15的热膨 胀系数的差小，故可把包含反应性小的Ti、 Pt、 Ta的单层膜、合金 膜适当地组合来构成第l金属层14。作为包含W的合金膜，有TiW、 WSi、 WN、 WSiN。作为将包含反应性更小的Ti的约5 ~ 20nm的薄 膜作成与源电极11相接的最下层膜的层叠膜，有TiN/Ti (Ti的厚度 为5 ~ 20證)、Ti/TiN ( TiN的厚度为5 ~ 20腿)、Pt/Ti ( Ti的厚度 为5 20nm)。在Pt/Ti中，因采取将各层厚定为5 ~ 20nm并以若干 周期层叠了的结构，可防止高温工作时的反应。作为适当地组合了包 含反应性小的Ti、Pt、Ta的单层膜、合金膜的结构，有TiN/Ti、Ti/TiN、 Pt/Ti、 TaN/Ta、 Ta/TaN。此外，在图1中层间绝缘膜10的宽度是3 10nm、厚度约为1~ 3pm，由于宽度、厚度都比源电极ll大，故也有必要考虑层间绝缘膜 10与第1金属层14的反应或应力。因而，从该观点来看，在承担作 为布线的主要功能的第2金属层15以Cu为主要成分的情况下，作为
第1金属层14希望使用包含W的合金膜或使用将包含反应性更小的 Ti的约5 ~ 20nm的薄膜作成与层间绝缘膜IO相接的最下层膜的层叠 膜。在承担作为布线的主要功能的第2金属层15以Mo或W为主要 成分、把包含反应性小的Ti、 Pt、 Ta的单层膜、合金膜适当地组合 来构成第1金属层14的情况下，也希望第l金属层14为将约5 20nm 的薄膜作为与层间绝缘膜IO相接的最下层膜而得到的层叠膜。在作为布线的笫2金属层15中包含Cu的情况下，第3金属层 16具有防止在高温工作时第2金属层15的表面氧化的功能。第3金 属层16是包含Pt、 Mo、 W中的至少一种的金属膜。通过采用这样的 膜，可防止第2金属层15的表面的氧化。作为第3金属层16，除了 Pt、 Mo、 W的单层膜外，可使用TiW、 WN的合金膜、Pt/Ti那样的 层叠膜。再有，n型SiC漂移层2、 p型SiC基区3、 n型SiC耗尽区6、 n型SiC源区4、 p型SiC集电区5、源电极ll、栅绝缘膜8和栅电 极9的层叠结构、层间绝缘膜IO、第1至第3金属层14~16以及在 栅电极9上形成的金属布线层构成一个元件单位结构。以下说明图1的电力用半导体器件的制造方法。图2 图13是 示出根据本实施方式的电力用半导体器件的各制造工序的图。首先，如图2中所示，在n型低电阻SiC衬底1上利用外延生 长技术形成n型SiC漂移层2。其次，如图3中所示，通过在n型SiC 漂移层2的表面上进行杂质离子注入和激活热处理，有选择地形成p 型SiC区13。再有，使p型SiC区13的层厚约为0.5~2nm，此外， 其掺杂浓度约为3xl017 ~ 2xl018/cm3即可。其次，如图4中所示，通过在p型SiC区13的表面上进行杂质 离子注入和激活热处理，形成n型SiC源区4。接着，通过有选择地 进行离子注入，如图5中所示，形成p型SiC集电区5。其次，在n型SiC耗尽区6中的掺杂浓度与n型SiC漂移层2 的掺杂浓度不同的情况下，例如通过有选择地进行离子注入，如图6 中所示，形成n型SiC耗尽区6。
其次，如图7中所示，在n型SiC源区4的一部分、p型SiC基 区3和n型SiC耗尽区6的表面上利用热氧化法或CVD (化学气相 淀积)法形成栅绝缘膜8(氧化硅膜或氧化氮化硅膜)。其次，如图8中所示，在栅绝缘膜8上利用CVD法等形成栅电 极9(例如多晶硅膜)。接着，如图9中所示，形成氧化硅膜等的层 间绝缘膜IO。如上所述，去除层间绝缘膜10中源电极ll的预定形成 区域的部分。然后，如图10中所示，利用金属蒸镀法等形成Ni或包 含Ni的金属层作为源电极11和漏电极12。其次，如图ll中所示，在源电极11和层间绝缘膜10上利用金 属蒸镀法等形成第l金属层14。其次，如图12中所示，在第l金属 层14上利用金属蒸镀法等形成第2金属层15。然后，如图13中所示， 在第2金属层15上利用金属蒸镀法等形成第3金属层16。再有，关于各层中的离子注入原材料的激活热处理，可在栅绝缘 膜8和栅电极9的形成的紧前集中地进行，也可在其后进行。根据本实施方式的电力用半导体器件，具备包含Pt、 Ti、 Mo、 W、 Ta中的至少一种的第l金属层14和包含Mo、 W、 Cu中的至少 一种的第2金属层15。因在第2金属层15中使用作为反应性小的材 料的Mo、 W、 Cu的某一种，在将第2金属层15作为布线金属使用 时，即使是高温工作，也难以发生在作为半导体区的n型SiC源区4 上形成的源电极ll与第2金属层15的反应。此外，通过在源电极ll 与第2金属层15之间夹设包含作为反应性更小的材料的Pt、 Ti、 Mo、 W、 Ta的某一种的第1金属层14，也可防止其它的金属材料混入到 源电极ll中等的现象。此外，在第2金属层15中使用包含Cu的金 属层的情况下，通过夹设第1金属层14，可緩和因作为半导体区的n 型SiC源区4与第2金属层15之间的热膨胀系数的差别引起的变形。 于是，可实现在高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体 区上的电极等的反应且在高温工作中难以发生变形的电力用半导体 器件。此外，根据本实施方式的电力用半导体器件，还具备在第2金属
层15上形成的、而且包含Pt、 Mo、 W中的至少一种的第3金属层 16。因在第2金属层15的表面上形成包含作为反应性小的材料的Pt、 Mo、 W的至少一种的第3金属层16，可防止因高温工作中的氧化等 引起的第2金属层15表面的性能恶化。这样，通过在源电极11上和层间绝缘膜10上配置第1金属层 14、第2金属层15、第3金属层16，可防止起到布线的功能的第2 金属层15与源电极11或源区4、 p型SiC区13、层间绝缘膜10的在 高温工作时发生反应或产生应力，而且可防止金属层表面的氧化。此外，根据本实施方式的电力用半导体器件，还具备在作为半导 体层的n型SiC漂移层2的表面上且在形成了源电极11的区域以外 的区域中形成的层间绝缘膜10，第1和第2金属层14、 15延伸到层 间绝缘膜10上。于是，在将第2金属层15用作布线金属时，即使是 高温工作，也难以发生在n型SiC漂移层2的表面上形成的栅绝缘膜 8或层间绝缘膜10下的各种膜(例如，栅电极9)与第2金属层15 的反应。再有，在上述中，在源电极ll上形成了第1至第3金属层14~ 16。也可釆用与其分离地或与其一起在栅电极9上也形成了第1至第 3金属层的结构。此时成为在作为半导体区的p型SiC基区3上形成 作为第1绝缘膜的栅绝缘膜8、在其上形成栅电极9、在栅电极9上 形成第1至第3金属层的结构。而且，层间绝缘膜10处于n型SiC 漂移层2的表面上和栅绝缘膜8的表面上，起到在形成栅电极9的区 域以外的区域中形成的第2绝缘膜的功能。作为此时的制造方法，在为了形成源电极ll而部分地去除层间 绝缘膜10时，或者另行去除栅电极9上的布线(第l至第3金属层) 形成部分的层间绝缘膜10即可。虽然在源电极11和/或栅电极9上形 成第l至第3金属层14 16来制作MOSFET,但在与用于形成源电l至第3金属层)形成部^的层间绝:膜10的去除时，就在栅^极9 上形成源电极ll的构成材料和第1至第3金属层14~16。另一方面，
在与用于形成源电极11的层间绝缘膜10的部分的去除分开地在源电 极11的形成后进行栅电极9上的布线(第1至第3金属层)形成部 分的层间绝缘膜10的去除时，在栅电极9上的布线部分中只形成第1 至第3金属层14~16。图14是示出用后者的方法在栅电极9上形成 了笫1至第3金属层14~16时的本电力用半导体器件的结构的图。在上述中，将p型SiC基区3中与栅绝缘膜8的接触面附近作 为沟道区。但是，也可在该沟道区附近另行进行离子注入以追加形成 沟道层。图15和图16是示出根据本实施方式的电力用半导体器件的变形 例的图。在图15中，横跨p型SiC基区3的表面内、n型SiC源区4 的一部分的表面内和n型SiC耗尽区6的表面内形成了沟道层7。在 栅绝缘膜8的形成前，通过在作为半导体层的n型SiC漂移层2的表 面上有选择地进行离子注入形成该沟道层7即可。除了这一点外，装 置结构及其制造方法与图1的情况是相同的。此外，在图16中，横跨p型SiC基区3的表面上、n型SiC源 区4的一部分的表面上和n型SiC耗尽区6的表面上形成了沟道层7。 在栅绝缘膜8的形成前，利用外延生长形成硅膜等的半导体膜，利用 光刻技术形成该沟道层7使其成为与栅绝缘膜8相同的构图即可。除 了这一点外，装置结构及其制造方法与图l的情况是相同的。可以没有沟道层7，图1的情况相当于没有沟道层7的情况。在 如上述那样设置了沟道层7的情况下，其导电类型可以是n型，也可 以是p型。此外，为了改善因离子注入原材料的激活热处理产生的表 面粗糙，希望进行成为图16中示出的结构的外延生长的形成，但只 要因激活热处理产生的表面粗糙少，也可以是利用图15中示出的有 选择的离子注入形成了沟道层的结构。再有，在本实施方式中，用SiC构成了 n型低电阻SiC衬底1 或n型SiC漂移层2、 p型SiC区13、 n型SiC源区4等，但这些各 部分的构成元素不一定限于SiC。例如，也可采用例如Si等的其它半 导体作为这些各部分的构成元素。
此外，在以上中举出MOSFET作为电力用半导体器件的一例， 说明了对于其源电极11的布线金属，但不限于MOSFET,即使在开 关元件或二极管元件中的对于与半导体区连接的所有的电极的布线 金属中，也同样地可使用本发明。此外，在以上中说明了采用Ni系电极作为源电极ll的电极材料 的情况，但即使在将以Al或Ti、多晶硅膜等为代表的Ni系以外的材 料用作电极材料的情况下，也同样地可使用本发明。此外，在以上中示出了源电极11与层间绝缘膜10相接的结构的 情况，但因源电极ll的材料种类的缘故在高温工作时担心源电极11 与层间绝缘膜IO发生反应的情况下，即使是如图17中所示那样第1 金属层14存在于源电极11与层间绝缘膜IO之间、源电极11不与层 间绝缘膜10相接、层间绝缘膜10和源电极11被第1金属层14覆盖 的结构的情况下，也可使用本发明。 〈实施方式2〉本实施方式是根据实施方式1的电力用半导体器件的变形例，是 省略了上述的第3金属层16的结构的电力用半导体器件。图18、图19、图20分别示出从图1、图15、图16的各电力用 半导体器件的结构去除了第3金属层16的结构的根据本实施方式的电力用半导体器件。在实施方式l中，提到釆用包含Cu的膜作为第2金属层15的情况，为了防止第2金属层15的表面在高温工作时因氧化等而性能 恶化，设置了第3金属层16。但是，在第2金属层15包含Mo、 W 中的至少一种而不包含Cu的情况下，如图18~图20中所示，可作 成省略了第3金属层16的结构。因作成在第2金属层15中不包含Cu的结构，故可用热膨胀系 数与半导体材料比较接近的材料构成第2金属层15，可防止高温工作 时的变形的发生。即，通过将布线金属层作成这样的结构，即使在大 于等于200。C的高温下也不会从电极或布线部分的金属的部分发生性 能恶化，可使元件稳定地工作。
权利要求
1. 一种电力用半导体器件，其特征在于，具备具有表面的半导体层(2)；以在上述半导体层的上述表面的至少一部分上露出的方式在上述半导体层内形成的、预定的导电类型的半导体区(13)；在上述半导体区上形成的第1绝缘膜(8)；在上述半导体区上或上述第1绝缘膜上形成的电极(9，11)；在上述电极上形成的、而且包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)；以及在上述第1金属层上形成的、而且包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。
2. 如权利要求l中所述的电力用半导体器件，其特征在于 还具备在上述第2金属层上形成的、而且包含Pt、 Mo、 W中的至少一种的第3金属层(16)。
3. 如权利要求l中所述的电力用半导体器件，其特征在于 还具备在上述半导体层的上述表面上和/或上述第1绝缘膜的表面上，且在形成了上述电极的区域以外的区域中形成的第2绝缘膜 (10)，且上述第1和第2金属层延伸到上述第2绝缘膜上。
4. 如权利要求3中所述的电力用半导体器件，其特征在于 以在上述半导体区上形成的上述电极(11)与上述第2绝缘膜不接触的方式在该电极与该绝缘膜之间存在第l金属层。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种电力用半导体器件，在高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体区上的电极等的反应而且在高温工作中难以发生变形。为了达到该目的，根据本发明的电力用半导体器件是SiC功率器件等的电力用半导体器件，在源区(4)等的半导体区之上形成的源电极(11)上形成了包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)。在第1金属层(14)上形成了包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。在第2金属层(15)上形成了包含Pt、Mo、W中的至少一种的第3金属层(16)。
文档编号H01L21/28GK101395701SQ20078000784
公开日2009年3月25日 申请日期2007年3月19日 优先权日2006年3月22日
发明者三浦成久, 今泉昌之, 大塚健一, 大森达夫 申请人:三菱电机株式会社