技术编号:6886559
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉;Mt含有硅和锗的多层异质结构中的应力层和应变层,并且 更具体地涉;M^这样的异质结构中形成的mos器件。背景技术应变硅被广泛地认为是获得期望的集成电路性能提升的重要技术。双 轴面内拉伸应变樹目对于非应变^现出增强的面内电子和空穴迁移率,使得n-沟道和p-沟道MOS场效应晶体管(FET)性能得到改善。迁移率 提高是有效栽流子量减少和谷间(光子)^t射减少相结合的结果。应变硅通常通过在硅衬底上首先生长厚的硅锗合金(SiGe)层来获得。 SiGe层生长...
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