技术编号：6886568
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及当在半导体晶圆等被处理体上形成阻挡膜、晶 种膜等薄膜时的薄膜形成方法及薄膜层叠结构。背景技术通常，制造半导体设备时需要在半导体晶圆上反复地进行 成膜处理、图案蚀刻处理等各种处理，由此制造出所期望的设 备。但是，近来随着对半导体设备的集成化及细微化要求的提 高，线宽和孔径在越发微细化。作为布线材料和埋入材料一般使用铝、铝合金。然而，近来 随着各种尺寸的微细化，需要进一步减小电阻，因此电阻非常 小且廉价的鵠、铜作为布线材料和埋入材料使用(参照日本特开...
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