专利名称：薄膜形成方法及薄膜层叠结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及当在半导体晶圆等被处理体上形成阻挡膜、晶 种膜等薄膜时的薄膜形成方法及薄膜层叠结构。
背景技术：
通常，制造半导体设备时需要在半导体晶圆上反复地进行 成膜处理、图案蚀刻处理等各种处理，由此制造出所期望的设 备。但是，近来随着对半导体设备的集成化及细微化要求的提 高，线宽和孔径在越发微细化。作为布线材料和埋入材料一般使用铝、铝合金。然而，近来 随着各种尺寸的微细化，需要进一步减小电阻，因此电阻非常 小且廉价的鵠、铜作为布线材料和埋入材料使用(参照日本特开第2000-77365号公报、日本特开平第10-74760号公报、日本 特开平第10-214836号公报、及日本特开第2005-285820号公报)。当使用铝(包括铝合金)、钨(W)、铜(Cu)等作为布线材 料时，为了防止布线材料自身的硅化和提高与基底层的密合性， 形成所述布线材料之前作为基底膜通常先形成阻挡膜。当布线 材料使用铝(包括铝合金)、钨时，作为这种阻挡膜使用Ti膜、 TiN膜等，而当布线材料使用铜时，作为这种阻挡膜使用Ta膜、 TaN膜。作为阻挡膜的各种薄膜是对应于薄膜种类从热CVD(化 学气相沉积，Chemical Vapor Deposition)法、等离子体CVD法、 溅射法等成膜方法中选择使用最优的成膜方法而形成的。除了热CVD法以外，在允许的情况下可以使用等离子体 CVD法、溅射法等作为成膜方法。等离子体CVD法因成膜中晶圆自身容易带电，所以容易发生绝缘膜被破坏等充电损伤(Charging Damage )。因此，根据薄膜种类趋于使用晶圆自身 较不容易带电的溅射法。在此，说明根据如上所述的賊射法的成膜方法的 一个例子。 图6A和图6B表示才艮据溅射法的现有的成膜方法的 一 个例子的 说明图。在如图6A所示的半导体晶圆S的表面具有由例如Si02 膜等形成的绝缘层2，该绝缘层2上形成有如通孔(via hole)、 导通孔(through hole)、接触孔这样的孔状凹部4，在该凹部4 的底部露出下层的应电连4妻的接触部6。该4妄触部6对应于如晶 体管的源极(source )、漏极(drain )等的下层布线层、下层元 件的电极。成膜时如图6B所示，首先在晶圆S的表面、包括所述凹部4 的内表面上通过賊射法大致均匀地形成如Ti膜。其次，再利用 溅射法在之前形成的Ti8膜上大致均匀地形成TiN膜lO,由此形 成以所述Ti膜8和TiN膜10的层叠结构构成的阻挡层12。若形成这样的阻挡层12,则利用例如热C V D法等方法将布 线材料14成膜，/人而埋入所述凹部4内部的同时，在晶圆S的 整个上表面形成布线层14。该布线层14由例如铝(包括合金)、 钨等金属形成。之后，所述布线层14、阻挡层12被蚀刻成所期 望的图形而形成期望的布线图形。发明内容利用如上所述的溅射法的成膜方法中产生充电损伤的频率 较低。但是尽管如此，根据情况也有产生充电损伤的情况。如降低等问题，尤其是因晶体管特性的劣化而导致消耗电力增加、 运行速度降低等问题。本发明是着眼于以上问题，为了有效地解决上所述的问题 而提出的，其目的在于提供一种可以在溅射时大幅抑制发生充 电损伤的薄膜形成方法。为了实现上述目的，本发明所提供的薄膜形成方法，其特 征在于包括以下工序防止膜形成工序，在^皮处理体的表面上通过溅射形成用于防止充电损伤的防充电损伤膜；薄膜形成工 序，在被处理体的表面上形成的防充电损伤膜表面上通过溅射 形成所期望的薄膜。根据本发明，当被处理体的表面上通过溅射形成所期望的 薄膜时，作为其前工序通过溅射形成防充电损伤膜。由此，大 幅抑制賊射时发生充电损伤。优选所述防充电损伤膜由Co(钴)、Ge(锗)、Ru(釕)中的任 意一种材料形成。另外，优选在所述被处理体的表面上预先形成有绝缘层， 所述防止膜形成工序中在绝缘层的表面形成用于防止充电损伤 的防充电损伤膜。另外，例如在所述薄膜形成工序中形成 一 个种类的薄膜， 或者在所述薄膜形成工序中依次形成不同种类的多个薄膜。另外，优选所述薄膜为金属膜或含金属的膜。另外，本发明是一种薄膜的层叠结构，其是形成于在被处 理体的表面上的薄膜的层叠结构，其特征在于，其具备在所 述被处理体的表面上通过溅射形成的防充电损伤膜；所述防充 电损伤膜的表面上通过溅射形成的一层薄膜。优选所述一层薄膜由TiN膜形成。例如，所述TiN膜形成阻 挡层。并且，例如所述TiN膜上形成布线层，该所述布线层由 例如A1 (包括A1合金)膜、W膜、Cu膜中的任意一种材料形成。另外，本发明是一种薄膜的层叠结构，其是在被处理体的表面上形成的薄膜的层叠结构，其特征在于，其具备在所述 被处理体的表面上通过賊射形成的防充电损伤膜；所述防充电 损伤膜的表面上通过溅射形成的多个薄膜元件。优选所述多个薄膜元件的种类互不相同。例如，所述多个 薄膜元件从下层向上层为Ti膜元件和TiN膜元件。或者，例如， 所述多个薄膜元件从下层向上层为TaN膜元件和Ta膜元件。另 外，例如所述多个薄膜元件形成阻挡层。并且，例如在所述多 个薄膜元件上形成布线层。该布线层由例如A1 (包含A1合金) 膜、W膜、Cu膜中的任意一种材料形成。
图l为表示用于实施本发明的薄膜形成方法的等离子成膜装置的一个例子的截面图。图2A至2C为表示根据本发明方法的各个实施方式形成的薄膜的层叠结构的例子的截面图。图3为表示本发明方法的各实施方式的工序图。图4为表示是否发生所述充电损伤的曲线图。图5为表示被称为T E G的天线基板的天线结构的俯视图。子的说明图。
具体实施方式
下表面参照附图详细说明本发明的薄膜形成方法及薄膜的 层叠结构的实施方式。图l为表示用于实施本发明的薄膜形成方法的等离子成膜 装置的一个例子的截面图。在此，以ICP (电感耦合等离子体， Inductively Coupled Plasma)型等离子溅射装置为例对等离子成膜装置进行说明。如图l所示，该等离子成膜装置16具有通过 例如铝等成型为筒状的处理容器18。该处理容器18被接地，其底部20上设有排气口22。排气口22通过用于调节压力的节流阀 24与真空泵26连接，可以将处理容器18的内部抽成真空。在处理容器18内设有圆板状的载置台28。该载置台28以由 例如铝形成的载置台主体28A和设置在其上表面的静电卡盘 (Electrostatic chuck ) 28B构成。在静电卡盘28B上可吸附固定 作为被处理体的半导体晶圆S。另外，在该静电卡盘28B的上表 面形成有用于使导热气体流动的气体槽30。根据需要通过向该 气体槽30内提供Ar气等导热气体，以提高晶圆S与载置台28之 间的导热性。另外，根据需要在该静电卡盘28B上施加未图示 的吸附用的直流电压。如上所述的载置台28被从该载置台28的下表面的中央部向 下方延伸的支柱32支撑。支柱32的下部贯通处理容器18的底部 20。并且，该支柱32可通过升降机构(未图示)上下移动，由 此可升降载置台28。另外，设有包围所述支柱3 2并可伸缩的折曲状的金属波紋 管34。金属波紋管34的上端与载置台28的下表面气密性地接合， 金属波紋管34的下端与处理容器18的底部20的上表面气密性地 接合。由此，在保持处理容器18内的气密性的同时，可使载置 台28进行升降移动。在载置台28的载置台主体28A上形成有使 冷却晶圓S的制冷剂流动的制冷剂循环回路36作为冷却装置。 制冷剂通过支柱32内的未图示的流路供给和排出。容器底部20设有从其向上方直立的例如3个(图中只示出了 2个)支撑销38。另外，在载置台28上设置对应于该支撑销38 的销插入孔40。由此，当载置台28下降时，由贯通于销插入孔 40的支撑销38的上端部支撑晶圆S ,并在其与从外部进入的未图示的搬运臂之间运送该晶圆S。处理容器18的下部侧壁设有用于插入搬运臂并可进行开闭的闸阀42。另外，设置于载置台主体28A上的静电卡盘28B通过布线44 连接有偏置电源46，该偏置电源46由产生如13.56 MHZ的高频 的高频电源组成。由此，可对载置台28输入予贞定的偏压电力。 另外，偏置电源46可根据需要变化地控制其输出的偏压电力。另 一方面，在处理容器18的顶部上通过0形密封圈等密封 部件5 0气密封地设置可使以例如氧化铝等介电质形成的对高频 具有透过性的透过板48。并且，在相对于该透过板48与处理容 器18的处理空间52相反一侧上设置例如用于通过使等离子体激 发用气体如Ar气体等离子化而产生等离子的等离子体发生源 54。另外，作为等离子体激发用气体除了可以使用Ar气体以夕卜， 也可使用其它惰性气体如He、 Ne等气体。具体来说，等离子体 发生源54可以具有i殳置在透过板48上部的感应线圏部56。该感 应线圏部56与激发等离子用的如13.56 MHz的高频电源58连 接，可以通过透过板48将高频导入到处理空间52内。在此，根 据需要也可对通过高频电源58输出的等离子电力进行可变控 制。另外，在所述透过斧反48的正下方设有可4吏;帔导入的高频扩 散的例如由铝制成的隔极60。并且，在该隔才及60的下方设置包 围处理空间52上部的、例如截面呈向内侧倾杀牛的环状(截顶圆 锥壳状，Truncated Conical Shell )的金属輩巴62。在该金属輩巴62 上连接供应放电用电的靶用的直流电源64。也可由交流电源取 代直流电源64。在此，由直流电源64输出的直流电力也可以根 据需要可变地进行控制。在此，金属靶62根据所需形成的薄膜 种类可使用钴、钛、钽、铜等。这些金属通过等离子体中的Ar 离子以金属原子或金属原子团被溅射。另外，这些金属原子或金属原子团大多在通过等离子体中时被离子化。另外，形成阻 挡层时使用钛、钽，而形成晶种膜时使用铜金属。另外，所述金属靶62的下部设有包围所述处理空间52并由 铝形成的圆筒状的保护罩66。该保护罩66被接地。另外，保护 罩66的下部向内侧弯曲位于载置台28的侧部附近。另外，在处理容器18的底部上设置例如气体导入口 68作为 用于向处理容器18内导入必要的规定气体的气体导入装置。义人 该气体导入口68通过由气体流量控制器、阀门等构成的气体控 制部70供给稀有气体如Ar气体、其它必要气体如N2气等作为等 离子体激发用气体。在此，成膜装置16的各组成部与如由电脑等构成的装置控 制部72连接，通过该装置控制部72被控制。具体来说，装置控 制部72控制偏置电源46、等离子体发生用高频电源58、可变直 流电源64、气体控制部70、节流阀24、真空泵26等，并为了实 施根据本发明方法的薄膜形成方法而进行如下操作。首先，在装置控制部72的控制下，向通过真空泵26工作而 被抽成真空的处理容器18内边使气体控制部70工作边流入Ar 气体。并且，控制节流阀24而将处理容器18内维持在规定真空 度。此后，通过可变直流电源64向金属靶62^是供直流电力，并 且通过高频电源58向感应线圏56提供高频电力(等离子电力)。 另一方面，装置控制部72也向偏置电源46发出指令，使偏置电 源46对载置台28施加*见定的偏压电力。在如此被控制的处理容器18内，根据对感应线圏56施加的 等离子电力而形成Ar气体等离子体，由此产生Ar离子。这些离 子碰撞到金属靶62。由此，使所述金属靶62^皮溅射而放出金属 粒子。来自被溅射的金属靶62的作为金属粒子的金属原子或金属原子团大多在通过等离子体中时被离子化。并且，它们成为一皮 离子化的金属离子与电中性的中性金属原子混合存在的状态， 向下方飞散。在此，处理容器18内的压力#皮_没定專交高，例如i殳置为50mTorr以上。由此，提高等离子体密度，可以高效率对金 属粒子进行离子化。并且，金属离子进入离子晶种区域，该离子晶种区域为通 过施加到载置台28的偏压电力而产生的晶圆面上的厚度为凄史毫 米程度的区域。如此一来，金属离子会具有较强的方向性而-皮 加速吸引到晶圆S侧，而堆积在晶圆S上。如此，通过具有高方 向性的金属离子被堆积的薄膜基本可具有垂直形状的有效区域 (coverage )。在此，装置的各组成部基于在规定条件下可进行金属膜成 膜的程序，而通过装置控制部72被适宜地控制。这时，例如 Floppy Disk(注册商标)(FD )、 Compact Disc(注册商标)(CD )、 闪存、硬盘等存储介质74中预先储存有含有用于控制各组成部 的命令的程序，而基于该程序控制各组成部，以使在规定条件 下进行处理。接着，说明根据使用如上所述构成的等离子体成膜装置16 进行的本发明的薄膜形成方法。本发明的特征在于，作为形成薄膜的薄膜形成工序的前工 序，进行在半导体晶体表面上通过賊射形成用于防止充电损伤 的防充电损伤膜的防止膜形成工序。参照图2A至2C及图3详细说明本发明的实施方式。图2A至 2C为表示根据实施方式形成的薄膜层叠结构的例子的截面图。 图3为各实施方式的工序图。在形成图2A至2C中示出的多层架构之前的晶圆结构与图 6A所示的结构相同。即，如图6A所示，在半导体晶圆S的表面上形成有例如由SiOJ莫等组成的绝缘层2，该绝缘层2形成有如 通孔、导通孔、接触孔这样的孔状的凹部4, 而该凹部4的底部 露出下层的应电连接的接触部6。该接触部6对应于如晶体管的 源极、漏极等的下层布线层、下层元件的电^ l。并且，在如上所述形成的晶圆S的上表面进行各种成膜工 序来形成如图2A至2C所示的层叠结构。在此，示出了第1至第3 实施方式。首先，如图3所示那样，不论第l至第3各实施方式， 都进行防止膜形成工序(Sl )作为薄膜形成工序的前工序。由 此，通过賊射形成防充电损伤膜80。该防止力莫80不仅整面形成 在晶圆S的绝缘层2的表面，而且还整面形成在凹部4(参照图6) 的内表面、即底面及侧面的整面。接着，进行薄膜形成工序。在第一实施方式的情况下，进行第一薄膜元件形成步骤 (S2),而通过溅射在表面整面形成第一薄膜82 (参照图2A)。 而且，；故埋入凹部4内，整面形成布线层84 ( S3 )。这时，第一 薄膜82的一层成为阻挡层。并且，在第二实施方式的情况下，在通过上述溅射在表面 整面形成第一薄膜82之后，如图2B所示，进行第二薄膜元件形 成步骤(S4)，在表面整面层叠形成第二薄膜86。而且，被埋 入所述凹部4内而在整面形成布线层88 ( S5 )。这时，第一薄膜 82和第二薄膜86的层结构成为阻挡层。另外，第二薄膜元件形 成步骤(S4)的处理可通过溅射进行处理，还可用热CVD法处 理、等离子体CVD来处理。另外，在第三实施方式的情况下，在进行上述第二薄膜元 件形成工序(S4)而在表面整面层叠形成第二薄膜86之后，如 图2C所示，进行第三薄膜元件形成步骤(S6),由此在表面整 面层叠形成第三薄膜90。而且，被埋入凹部4内而在整面形成布线层92(S7)。这时，第一薄膜82和第二薄膜86的层结构成为 阻挡层，或第一薄膜82、第二薄膜86和第三薄膜90的层结构成 为阻挡层。另外，第三薄膜元件形成步骤(S6)的处理可通过 '减射进行，还可利用热CVD处理、等离子体CVD处理进行。 另外，还可根据需要形成更多的薄膜之后形成布线层。 在上述第一至第三的实施方式中，各薄膜82、 86、 90的膜 种类不同。这些各薄膜82、 86、 90由金属膜或含金属的薄膜形 成。含金属的薄膜可以是金属氮化膜等。形成氮化膜时可优选 使用作为氮化气体的例如N2气等。另外，当利用溅射形成各薄 膜82、 86、 90时，可以均使用如图1所示的等离子成膜装置16， 根据堆积的膜种类更换金属靶62,也可以针对为了防止不同的 金属污染而堆积的每 一 种膜使用不同的等离子成膜装置16 。如上所述，当通过賊射在半导体晶圆S的表面形成薄膜82 时，因在其前工序通过賊射形成防充电损伤膜80,所以可大幅抑制溅射时发生充电损伤。在此，上述防充电损伤膜80使用选自Co(钴)、Ge(锗)、Ru(钌) 所组成的组中的一种材料。该防充电损伤膜80优选具有对应于 平面方向可确保略微的导电性的厚度，以使不会对在其上层形 成的第一薄膜82引起充电损伤。例如，优选为多个原子层水平 的厚度，具体来i兌优选10 50A左右的厚度。通过这样使防充电 损伤膜80变薄，即使以电阻高于在其上层形成的布线层84、 88、 9 2的组成材料的材料形成防充电损伤膜8 0,也可极力抑制布线 电阻的上升。另外，蚀刻加工所述布线层84、 88、 92时，还可 用与蚀刻这些布线层84、 88、 92的流程条件相同的条件下蚀刻 防充电损伤膜80。另外，当所述防充电损伤膜80厚度大于50A时，将会引起 布线电阻上升、布线层蚀刻加工上的问题。而当防充电损伤膜80的厚度小于1 OA时，不能充分地抑制充电损伤的发生。并且，在防止膜形成工序中形成防充电损伤膜80时，溅射 收率优选设定为0.9 l.latoms/ion的范围内。这是由于如果是所 述范围内的賊射收率，则在溅射中产生的原子与离子的量取得 平衡而难以发生制模中因带电电荷偏移而产生充电损伤、处于电中性状态。换句话说，溅射收率在上述范围以外的情况下， 在形成防充电损伤膜80时，该防充电损伤膜自身易受到充电损 伤。在此，賊射收率是指以数值表示易于进行溅射的程度的值， 该溅射收率根据产生等离子体时供给的稀有气体的种类和离子 的能量(eV)而决定。并且，该离子的能量(eV)依赖于通过 图l中的直流电源62而施加到金属靶62的电压。在《新版真空手册》(Ohmsha， Ltd.， ULVAC, Inc.编，平成 14年8月发行)的第8章(第257页至第258页)中示出了各个离 子的賊射收率的一个例子。例如，当离子能量为400eV时，溅 射收率为0.9 l.latoms/ion范围内，且可选4奪发生金属污染的顾 虑少的材料如Co、 Ge、 Ru等作为防充电损伤膜80的构成材料。另夕卜，如果首先形成作为基底膜的这样的防充电损伤膜80， 则即使在其上层通过溅射形成容易发生充电损伤的金属膜、例 如A1膜(包含A1合金)、W (钨)膜、Cu (铜)膜、Ti(钬)膜， Ta(钽)膜、或金属氮化物、例如TiN膜、TaN膜等，被充电的电 荷也通过位于下层的导电性的上述防充电损伤膜80而被分散。即，不会引起充电损伤。在此，更加详细地说明各实施方式。图2A中示出的第一实 施方式中，作为防充电损伤膜80使用Co膜，第一薄膜82使用TiN 膜，布线层84可以使用A1层或者W层。另外，所述A1层中含有 例如含有Cu的Al合金层作为Al合金膜。这时，TiN膜可作为阻 挡层发挥作用。并且，在此，至少是防充电损伤膜80与作为第一膜82的TiN膜通过溅射成膜。另外，图2B中示出的第二实施方式中，作为防充电损伤膜 80使用Co膜，第一薄膜82使用Ti膜，第二膜86使用TiN膜，布 线层88使用A1层或者W层。另外，在该情况下，Al膜中也包括 合金层例如含有Cu的Al合金层。这时，由Ti膜和TiN膜形成的 层结构可作为阻挡层起作用。另外，在此，至少防充电损伤膜 80与作为第 一膜82的Ti膜通过溅射成膜。另外，在图2C中示出的第三实施方式中，作为防充电损伤 膜80可使用Co膜，第一薄膜82可使用TaN膜，第二膜86可使用 Ta膜，第三膜86可使用成为晶种膜的Cu膜，布线层92可使用Cu 层。另外，这时，由TaN膜与Ta膜形成的层结构作为阻挡层起 作用。另外，在此，至少防充电损伤膜80与作为第一膜82的TaN 膜通过溅射成膜。另外，第三膜86为通过溅射形成的较薄的由 Cu膜形成的晶种膜。以该晶种膜为起点通过电镀形成由Cu层形 成的布线层92。另外，各实施例的层叠结构不限于示例。即，本发明并不 限定于上述那样的各个实施方式的层叠结构。<用于确认本发明的效果的实验〉在此，进行用于确认上述本发明效果的实验，因而，对其 评价结果进行说明。在此，作为试验，在半导体晶圆上形成如图2A中所示的第 一实施方式的薄膜层叠结构。具体来说，作为防充电损伤膜80 通过賊射形成Co膜，并在其上通过溅射形成作为第一薄膜82的 TiN膜。形成该TiN膜之后，测定该TiN膜的漏电电流。在此， 作为防充电损伤膜80的Co膜的膜厚为10 30A左右。另外，作为 第一薄膜82的TiN膜的膜厚为300A左右。另外，为了测定半导 体晶圆的充电耐性，使用特别的平面天线基板作为实施成膜的半导体晶圆。该平面天线基板的天线比(Sl/S2)为"106"。该 平面天线基板为所谓的T E G (参照图5所示的天线结构)。另外，在此，没有形成布线层84。其理由是是否发生整体 的充电损伤只依赖于是否在直接形成于防充电损伤膜80的第一 薄膜82中是否发生充电损伤，因此无需在前述测定中测定布线 层84的成膜。另外，比较例中，在没有形成Co膜的状态下通过溅射直接 形成TiN膜。图4为表示是否发生充电损伤的曲线图。横轴表示漏电电 流，纵轴表示度数分布。图4中，曲线A对应于由TiN膜形成的 比较例的膜结构，而曲线B对应于由TiN膜/Co膜形成的根据本 发明方法的膜结构。当漏电电流变为10 -9 A以上的为N. G.(不好)， 即为次品。如图4所示，当曲线A为比较例时，合格率为15%左右，而 不良率达到85%左右，故不优选。相对于此，曲线B的本发明方 法的情况下，合格率为100%、不良率为0%,因此结果良好。另外，在作为第一薄膜82形成TaN膜、形成作为良好的导 电性材料的Ti膜时，也可以确认具有与所述试-睑中的TiN膜相同 的作用效果或更良好的作用效果。另外，在此，作为被处理体以半导体晶圆为例进行了说明， 但是本发明并不限于此，还可适用于玻璃基板、LCD基板、陶 瓷基板等。
权利要求
1.一种薄膜形成方法，其特征在于，该方法包括以下工序防止膜形成工序，在被处理体的表面上通过溅射形成用于防止充电损伤的防充电损伤膜；薄膜形成工序，在形成于被处理体的表面上的防充电损伤膜的表面上通过溅射形成所期望的薄膜。
2. 根据权利要求l所述的薄膜形成方法，其特征在于，所 述防充电损伤膜由Co(钴)、Ge(锗)、Ru(钌)中的任意一种材料 形成。
3. 根据权利要求1或2所述的薄膜形成方法，其特征在于， 在所述被处理体的表面上预先形成有绝缘层，所述防止膜形成 工序中在绝缘层的表面形成用于防止充电损伤的防充电损伤膜。
4. 根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜形成方法，其 特征在于，所述薄膜形成工序中形成一个种类的薄膜。
5. 根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜形成方法，其 特征在于，所述薄膜形成工序中依次形成不同种类的多个薄膜。
6. 根据权利要求1至5中任意一项所述的薄膜形成方法，其 特征在于，所述薄膜为金属膜或含金属的膜。
7. —种薄膜的层叠结构，其为在被处理体的表面上形成的 薄膜的层叠结构，其特征在于，该结构具备在所述被处理体 的表面上通过溅射形成的防充电损伤膜；在所述防充电损伤膜 的表面上通过溅射形成的 一层薄膜。
8. 根据权利要求7所述的薄膜的层叠结构，其特征在于， 所述 一 层薄膜由TiN膜构成。
9. 根据权利要求7或8所述的薄膜的层叠结构，其特征在 于，所述TiN膜形成阻挡层。
10. 根据权利要求9所述的薄膜的层叠结构，其特征在于，在所述TiN膜上形成有布线层。
11. 根据权利要求10所述的薄膜的层叠结构，其特征在于， 所述布线层由A1 (包括A1合金)膜、W膜和Cu膜中任意一种材 料形成。
12. —种薄膜的层叠结构，其为形成于被处理体的表面上 的薄膜的层叠结构，其特征在于，其具备在所述被处理体的 表面上通过賊射形成的防充电损伤膜；在所述防充电损伤膜的 表面上通过溅射形成的多个薄膜元件。
13. 根据权利要求12所述的薄膜的层叠结构，其特征在于， 所述多个薄膜元件的种类互不相同。
14. 根据权利要求13所述的薄膜的层叠结构，其特征在于， 所述多个薄膜元件从下层向上层为Ti膜元件和TiN膜元件。
15. 根据权利要求13所述的薄膜的层叠结构，其特征在于， 所述多个薄膜元件从下层向上层为TaN膜元件和Ta膜元件。
16. 根据权利要求12至15任意 一 项所述的薄膜的层叠结 构，其特征在于，所述多个薄膜元件形成阻挡层。
17. 根据权利要求16所述的薄膜的层叠结构，其特征在于， 在所述多个薄膜元件上形成有布线层。
18. 根据权利要求17所述的层叠结构，其特征在于，所述 布线层由A1 (包括A1合金)膜、W膜和Cu膜中任意一种材料形 成。
全文摘要
本发明是一种薄膜形成方法，其特征在于，该方法包括如下工序在被处理体的表面上通过溅射形成用于防止充电损伤的防充电损伤膜的工序；在形成于被处理体的表面上的防充电损伤膜的表面上通过溅射形成所期望的薄膜的工序。
文档编号H01L23/52GK101405843SQ20078000966
公开日2009年4月8日 申请日期2007年10月4日 优先权日2006年10月11日
发明者上田博一, 野泽俊久 申请人:东京毅力科创株式会社