一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法
【专利摘要】本发明公开了一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，用溶胶?凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，并在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。此外，本发明所用的方法简单，可操作性强，调节效果显著，容易实现，可用于铜锌锡硫薄膜太阳能电池缓冲层的制备。
【专利说明】
一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法
技术领域
[0001] 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶 的方法。
【背景技术】
[0002] 一般铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,简称CZTS)薄膜太阳能电池结构为:介质/底电极/吸收 层(CZTS)/缓冲层/透明导电层/上电极，其中缓冲层主要用来降低透明导电层与吸收层之 间的能带不连续现象，一般会使用高透光率，电阻率在5.0~120 n ? cm的材料。现在的太阳能 电池主要是使用CdS作为缓冲层，但CdS是一种有毒性的材料，不适合持续发展，故需要发展 一种无毒、环保的材料来代替。硫化铟（In 2S3)是一种无毒、禁带宽度在1.9~3.7eV的半导体 材料，是一种较为理想的替代CdS作为CZTS薄膜太阳能电池缓冲层的新型材料。
[0003] 但由于CZTS/In2S3的导带带阶（CB0)为（0.41±0.10eV)比最优的范围（0~0.3eV) 高，这会使得光生电子受到高的势皇的阻碍，因而阻碍了光生电流，使短路电流密度和填充 因子减小了，降低了电池的性能。针对这个问题，本发明通过控制基片温度来调控铜锌锡 硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。而通过控制基 片温度来调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，目前还没有相关的报道。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，在铜锌锡 硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，达到调控铜锌锡硫/ 硫化铟异质结带阶的目的。
[0005] 为实现上述目的，本发明采用如下技术方案： 一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，其具体包括以下步骤： 步骤1):对透明玻璃片进行清洁处理，即将玻璃片依次在去离子水、丙酮和乙醇中进行 超声处理，然后取出、烘干； 步骤2 ):将一水合醋酸铜(Cu (CH3C00H) 2 ?出0)、二水合醋酸锌(Zn (CH3C00H) 2 ? 2出0)以及 二水合氯化亚锡(SnCl2 ? 2H20)混合后，加入硫脲溶解到乙二醇甲醚中，并加入稳定剂，50°C 水浴加热搅拌lh，得到胶体； 步骤3):利用旋涂法将步骤2)制备的胶体涂覆在步骤1)所得的烘干玻璃片上，经280°C 烤制成铜锌锡硫预制层薄膜;重复数次以达到所需薄膜厚度，膜厚800nm; 步骤4):把步骤3)制得的铜锌锡硫预制层薄膜样品放入石英舟，再放进硫化炉中的石 英玻璃管内，用机械栗对石英玻璃管抽真空，到5pa以下后关闭机械栗;然后往炉中的石英 玻璃管通入吣气体，流量为180sccm，通lOmin后保持通入N2气体，再通入H2S气体，流量为 2〇 SCCm;十分钟之后，开始让硫化炉升温，lh后升到580°C，保持温度lh，随后用冷却水冷却 4h至室温，制得太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜； 步骤5):将步骤4)制得的铜锌锡硫薄膜(负载在玻璃基片上)置于真空蒸发炉的蒸发腔 内；将硫化铟粉末置于蒸发舟中，再放进蒸发腔内；将蒸发腔抽真空后，对负载有铜锌锡硫 薄膜的玻璃基片进行加热或不加热处理，若进行加热处理，将基片温度加热至100~200°c; 随后加电流对蒸发舟进行加热，至蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发，此时电流为100A，然后 停止蒸发，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结。
[0006] 步骤1)所述超声处理的时间均为15分钟；所述烘干的温度为100°C，烘干时间为 25-40分钟。
[0007] 步骤5)中，加电流对蒸发舟进行加热的速率为10A/分钟。
[0008] 步骤5)中，经蒸发得到的铜锌锡硫/硫化铟异质结中硫化铟薄膜厚度为3-5nm。 [0009]步骤5)中，置于蒸发舟中的硫化铟粉末的质量为5mg。
[0010] 步骤5)中所述蒸发舟为钼舟;抽真空时，将蒸发腔内抽至真空度为1.0 X 1(T3帕。
[0011] 本发明的有益效果在于:本发明提供一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方 法，在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜 锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。此外，本发明所用的 方法简单，可操作性强，容易实现，可用于铜锌锡硫薄膜太阳能电池缓冲层的制备。
【附图说明】
[0012] 图1为归一化的硫化铟(a)、铜锌锡硫(b)的价带顶位置示意图； 图2为铜锌锡硫体材料的禁带宽度； 图3为硫化铟体材料的禁带宽度，（a)无加热、（b) 100 °C、（ c) 150 °C和(d)200 °C ; 图4为四种不同生长温度的异质结的能带图。
【具体实施方式】
[0013] 为了使本发明所述的内容更加便于理解，下面结合【具体实施方式】对本发明所述的 技术方案做进一步的说明，但是本发明不仅限于此。
[0014] 实施例1 一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，其具体包括以下步骤： 步骤1):对透明玻璃片进行清洁处理，即将玻璃片依次在去离子水、丙酮和乙醇中各超 声处理15分钟，然后取出，置于100°C高温干燥箱中烘干30分钟； 步骤2 ):将一水合醋酸铜(Cu (CH3C00H) 2 ? H20)、二水合醋酸锌(Zn (CH3C00H) 2 ? 2H20)以及 二水合氯化亚锡(SnCl2 ? 2H20)混合后，加入硫脲溶解到乙二醇甲醚中，并加入稳定剂，50°C 水浴加热搅拌lh，得到胶体； 步骤3):利用旋涂法将步骤2)制备的胶体涂覆在步骤1)所得的烘干玻璃片上，经280 °C烘烤制成铜锌锡硫预制层薄膜;重复数次以达到所需薄膜厚度，膜厚约为800nm。
[0015] 步骤4):把步骤3)制得的铜锌锡硫预制层薄膜样品放入石英舟，再放进硫化炉中 的石英玻璃管内，用机械栗对石英玻璃管抽真空，到5pa以下后关闭机械栗;然后往炉中的 石英玻璃管通入N 2气体，流量为180sccm，通lOmin后保持通入N2气体，再通入H2S气体，流量 为2〇 SCCm;十分钟之后，开始让硫化炉升温，lh后升到580°C，保持温度lh，随后用冷却水冷 却4h至室温，制得太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜； 步骤5):将步骤4)所得铜锌锡硫薄膜置于真空蒸发炉的蒸发腔内；将5mg的硫化铟粉末 置于蒸发舟中，再放进蒸发腔内；将蒸发腔抽真空，抽到1 x l(T3Pa后，对负载有铜锌锡硫薄 膜的玻璃基片进行加热，待基片温度升高到150°C后，以10A/min的加热速率缓慢加电流对 蒸发舟进行加热，至蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发，此时电流为100A，然后停止蒸发，所 得的硫化铟薄膜在3~5nm〇
[0016] 为了下面带阶测试的需要，增加硫化铟薄膜的制备:将上述步骤1)所得的烘干玻 璃置于真空蒸发炉的蒸发腔内；将l〇〇mg的硫化铟粉末置于蒸发舟中，再放进蒸发腔内；将 蒸发腔抽真空，抽到1 X l(T3Pa后，对基片进行加热，待基片温度升高到150°C后，以10A/min 的加热速率缓慢加电流对蒸发舟进行加热，至蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发，此时电流 为100A，然后停止蒸发，所得的硫化铟薄膜约为50nm。
[0017] 实施例2 步骤1):对透明玻璃片进行清洁处理，即将玻璃片依次在去离子水、丙酮和乙醇中各超 声处理15分钟，然后取出，置于100°C高温干燥箱中烘干30分钟； 步骤2 ):将一水合醋酸铜(Cu (CH3C00H) 2 ? H20)、二水合醋酸锌(Zn (CH3C00H) 2 ? 2H20)以及 二水合氯化亚锡(SnCl2 ? 2H20)混合后，加入硫脲溶解到乙二醇甲醚中，并加入稳定剂，50°C 水浴加热搅拌lh，得到胶体； 步骤3):利用旋涂法将步骤2)制备的胶体涂覆在步骤1)所得的烘干玻璃片上，经280°C 烘烤制成铜锌锡硫预制层薄膜;重复数次以达到所需薄膜厚度，膜厚为800nm; 步骤4):把步骤3)制得的铜锌锡硫预制层薄膜样品放入石英舟，再放进硫化炉中的石 英玻璃管内，用机械栗对石英玻璃管抽真空，到5pa以下后关闭机械栗;然后往炉中的石英 玻璃管通入N2气体，流量为180sccm，通lOmin后保持通入N 2气体，再通入H2S气体，流量为 2〇SCCm;十分钟之后，开始让硫化炉升温，lh后升到580°C，保持温度lh，随后用冷却水冷却 4h至室温，制得太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜； 步骤5):将步骤4)所得铜锌锡硫薄膜置于真空蒸发炉的蒸发腔内；将5mg的硫化铟粉末 置于蒸发舟中，再放进蒸发腔内；将蒸发腔抽真空，抽到1 X l(T3Pa后，不对负载有铜锌锡硫 薄膜的玻璃基片进行加热(30°C)，以10A/min的加热速率缓慢加电流对蒸发舟进行加热，至 蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发，此时电流为100A，然后停止蒸发，所得的硫化铟薄膜在3~ 5nm〇
[0018] 为了下面带阶测试的需要，增加硫化铟薄膜的制备:将上述步骤1)所得的烘干玻 璃置于真空蒸发炉的蒸发腔内；将l〇〇mg的硫化铟粉末置于蒸发舟中，再放进蒸发腔内；将 蒸发腔抽真空，抽到lX10_ 3Pa后，不对基片进行加热，以10A/min的加热速率缓慢加电流对 蒸发舟进行加热，至蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发，此时电流为100A，然后停止蒸发，所 得的硫化铟薄膜约为50nm〇
[0019] 实施例3 步骤1):对透明玻璃片进行清洁处理，即将玻璃片依次在去离子水、丙酮和乙醇中各超 声处理15分钟，然后取出，置于100°C高温干燥箱中烘干25-40分钟； 步骤2 ):将一水合醋酸铜(Cu (CH3C00H) 2 ? H20)、二水合醋酸锌(Zn (CH3C00H) 2 ? 2H20)以及 二水合氯化亚锡(SnCl2 ? 2H20)混合后，加入硫脲溶解到乙二醇甲醚中，并加入稳定剂，50°C 水浴加热搅拌lh，得到胶体； 步骤3):利用旋涂法将步骤2)制备的胶体涂覆在步骤1)所得的烘干玻璃片上，经280 °C烘烤制成铜锌锡硫预制层薄膜;重复数次以达到所需薄膜厚度，膜厚约为800nm。
[0020] 步骤4):把步骤3)制得的铜锌锡硫预制层薄膜样品放入石英舟，再放进硫化炉中 的石英玻璃管内，用机械栗对石英玻璃管抽真空，到5pa以下后关闭机械栗;然后往炉中的 石英玻璃管通入N 2气体，流量为180sccm，通lOmin后保持通入N2气体，再通入H2S气体，流量 为2〇 SCCm;十分钟之后，开始让硫化炉升温，lh后升到580°C，保持温度lh，随后用冷却水冷 却4h至室温，制得太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜； 步骤5):将步骤4)所得铜锌锡硫薄膜置于真空蒸发炉的蒸发腔内；将5mg的硫化铟粉末 置于蒸发舟中，再放进蒸发腔内；将蒸发腔抽真空，抽到1 X l(T3Pa后，对负载有铜锌锡硫薄 膜的玻璃基片进行加热，待基片温度升高到l〇〇°C后，以10A/min的加热速率缓慢加电流对 蒸发舟进行加热，至蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发，此时电流为100A，然后停止蒸发，所 得的硫化铟薄膜在3~5nm〇
[0021]为了下面带阶测试的需要，增加硫化铟薄膜的制备:将上述步骤1)所得的烘干玻 璃置于真空蒸发炉的蒸发腔内；将l〇〇mg的硫化铟粉末置于蒸发舟中，再放进蒸发腔内；将 蒸发腔抽真空，抽到1 X l(T3Pa后，对基片进行加热，待基片温度升高到100°C后，以10A/min 的加热速率缓慢加电流对蒸发舟进行加热，至蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发，此时电流 为100A，然后停止蒸发，所得的硫化铟薄膜约为50nm; 实施例4 步骤1):对透明玻璃片进行清洁处理，即将玻璃片依次在去离子水、丙酮和乙醇中各超 声处理15分钟，然后取出，置于100°C高温干燥箱中烘干25-40分钟； 步骤2 ):将一水合醋酸铜(Cu (CH3C00H) 2 ? H20)、二水合醋酸锌(Zn (CH3C00H) 2 ? 2H20)以及 二水合氯化亚锡(SnCl2 ? 2H20)混合后，加入硫脲溶解到乙二醇甲醚中，并加入稳定剂，50°C 水浴加热搅拌lh，得到胶体； 步骤3):利用旋涂法将步骤2)制备的胶体涂覆在步骤1)所得的烘干玻璃片上，经280 °C烘烤制成铜锌锡硫预制层薄膜;重复数次以达到所需薄膜厚度，膜厚约为800nm。
[0022] 步骤4):把步骤3)制得的铜锌锡硫预制层薄膜样品放入石英舟，再放进硫化炉中 的石英玻璃管内，用机械栗对石英玻璃管抽真空，到5pa以下后关闭机械栗;然后往炉中的 石英玻璃管通入N2气体，流量为180sccm，通lOmin后保持通入N 2气体，再通入H2S气体，流量 为2〇SCCm;十分钟之后，开始让硫化炉升温，lh后升到580°C，保持温度lh，随后用冷却水冷 却4h至室温，制得太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜； 步骤5):将步骤4)所得铜锌锡硫薄膜置于真空蒸发炉的蒸发腔内；将5mg的硫化铟粉末 置于蒸发舟中，再放进蒸发腔内；将蒸发腔抽真空，抽到1 X l(T3Pa后，对负载有铜锌锡硫薄 膜的玻璃基片进行加热，待基片温度升高到200°C后，以10A/min的加热速率缓慢加电流对 蒸发舟进行加热，至蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发，此时电流为100A，然后停止蒸发，所 得的硫化铟薄膜在3~nm〇
[0023]为了下面带阶测试的需要，增加硫化铟薄膜的制备:将上述步骤1)所得的烘干玻 璃置于真空蒸发炉的蒸发腔内；将l〇〇mg的硫化铟粉末置于蒸发舟中，再放进蒸发腔内；将 蒸发腔抽真空，抽到1 X l(T3Pa后，对基片进行加热，待基片温度升高到200°C后，以10A/min 的加热速率缓慢加电流对蒸发舟进行加热，至蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发，此时电流 为100A，然后停止蒸发，所得的硫化铟薄膜约为50nm。
[0024]不同生长温度下的带阶的测试 要测得一组带阶数据，即价带阶和导带阶，需要三种样品：异质结材料，组成异质结的 两个半导体材料。以测出一组CZTS/ In2S3异质结的带阶数据来举例。
[0025]规定本专利中将要用到的符号所代表的含义： 价带阶（Valence band offset) 导带阶（Conduction band offset) i?眶:价带顶(Valence band maximum) 核心能级（Core level) 能带弯曲（Band bending) i:异质结界面处（Interface) 恳:禁带宽度 其中K80、以和C如有如下关系
即测出两种样品在异质结界面处的能带弯曲的和仏6,还有两种样品的价带顶的值就 能得出价带阶K80。之后再根据两种样品的禁带宽度的值就能得出导带阶6S0。当K80的值为 正时，说明In2S3的价带边在CZTS的以下；而对于此时符号为正则说明，In2S 3的导带边 在CZTS的以上。
[0026] 图1为归一化的In2S3(a)和CZTS(b)的价带顶位置示意图，通过线性外推法得到，分 别为0.43±0. leV( In2S3)和-0.07 ±0. leV(CZTS)，这种线性外推的方法具有0. leV的不确定 度，本节的XPS数据均采用Cls的峰位(284.64eV)来校准。
[0027] 在表1中列出了纯体材料和不同温度生长的异质结样品中各个元素的芯能级和体 材料禁带宽度。其中禁带宽度是由丨《<~.曲线通过线性外推的方法得到，图2和图3为CZTS 和 In2S3 的 ~曲线，对于 CZTS，n=2;对于 In2S3，n=l/2。
[0028] 图3中画出了In2S3在不同的生长温度下的禁带宽度，可以看出In2S3的禁带宽度会 随着生长温度的变化而变化：在不加热时，为2.03eV;在生长温度为100°C时达到最大的 2.14eV;当生长温度达到150°C时，为2.01 eV;当生长温度升高到200°C则降到1.92eV。不同 温度下生长的In2S3的禁带宽度列于表1中。
[0029] 表1体材料和不同温度生长的异质结样品中各个元素的芯能级和体材料禁带宽 度
将各个元素的对应的芯能级代入公式（1)得到不同温度下能带弯曲由于不同的元 素得到的能带弯曲值不同，为此将同一温度下的各个元素得到的能带弯曲值取平均，得到 了各个温度下的能带弯曲总量分别为：未加热生长时，Kwf-0.22 ± 0.1 eV; 100 °C生长时， Kwf -0.22±0.1 eV，15(TC生长时，Kwf -0.16±0.1 eV;20(TC生长时，Kwf -0.08±0.1eV 之后将体材料的价带顶的值和各个温度下的能带弯曲总量代入公式(2)就可得价带阶 K80，分别为：未加热生长时，K8C*=0.28±0.1 eV;100°C生长时，0.28±0.1 eV，150°C 生长时，0.34±0.1 eV;200°C生长时，0.42±0.1 eV。
[0030] 最后计算C如，由公式（3)得：⑶Ct 0.30±0.1 eV;100°C生长时，⑶Ct 0.41±0.1 6乂，150°(：生长时，6'如=0.22±0.16￥;200°(：生长时，6'如=0.01±0.16￥。之后，将所得的 带阶数值和能带弯曲列于表2。
[0031]由表2可以画出不同生长温度下的异质结能带图。如图4所示，为四种不同生长温 度的异质结的能带图。由图可知，所有样品都是I型的半导体异质结。随着生长温度的升高， 价带阶逐渐增大，而导带阶逐渐减小。这里的能带弯曲和半导体材料的界面处常规特性一 致，也就是在界面，n型的半导体能带会在界面处向上弯曲，而P型的半导体能带会在异质结 界面处向下弯曲。值得注意的是，对于200°C生长的异质结样品，In 2S3-侧的能带弯曲是向 下的，这预示着，在200°C生长的In2S 3在界面处变为p型材料，造成这种变化的原因有可能是 在CZTS的影响下，In2S3在界面处变质了，生成了一种p型导电的材料，而这种p型导电材料极 有可能是CuInS2(下面将会给出分析）。
[0032]表2不同温度生长的异质结样品带阶和能带弯曲数值
为了探知200°C生长的异质结样品界面处的成分，我们分析了异质结界面处的金属元 素比例。XPS的信息深度为3~5nm，我们在异质结生长的In2S3薄膜厚度在5nm以下，所以从XPS 得到的元素组分信息是包含了部分的CZTS薄膜。XPS探测的元素组分原子比例如表3所示。
[0033]由表3可以看出，金属In的原子比随着生长温度的提高而不断减小，从13.8 at. % 减少到6.3 at. %减少了近1倍，而Cu元素的比例却不断的增大从5.8 at. %增大到25.4 at. %增加了近4倍。这说明在CZTS/In2S3异质结界面处存在着互扩散，并且这个互扩散随着 生长温度的升高而不断增强。Zn和Sn元素的原子比例变化不大，说明扩散的元素以In和Cu 为主，也就是大量的Cu元素从CZTS薄膜扩散到In2S3薄膜，而In元素从In2S 3薄膜扩散到CZTS 薄膜。再分析界面处的In和Cu的原子比的比例，发现Cu和In的原子数之比将近4:1，这说明 In2S3薄膜里存在着大量的Cu元素，In2S3含有大量的阳离子空位，是一种容易掺杂的物质而 且是可以被Cu元素掺杂的，当扩散的Cu元素的量与In和S元素的成分比达到1: 5:8时，就有 可能产生CuIn5S8，扩散Cu的量继续增加后，就有可能进一步的生成CuInS2 <XuIn5S8是一种窄 带隙的n型半导体，而CuInS2则是一种p型半导体，结合能带图分析，200°C生长的异质结样 品在界面处生成了 P型的CuInS2,所以使得In2S3-侧的能带向下弯曲。
[0034] 表3异质结界面附近各金属元素的原子比
从以上分析可以看出，随着生长温度的提高，价带阶是逐渐增大的，但是由于硫化铟的 禁带宽度也会有变化，所以，导带阶的变化是二者变化所导致的。不过可以看出，150°C生长 的样品导带阶为〇.22±0.1eV，在最优的0.3eV以内。
[0035] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与 修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
【主权项】
1. 一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，其特征在于:包括以下步骤： 步骤1):对透明玻璃片进行清洁处理，即将玻璃片依次在去离子水、丙酮和乙醇中进行 超声处理，然后取出、烘干； 步骤2):将一水合醋酸铜、二水合醋酸锌以及二水合氯化亚锡混合后，加入硫脲溶解到 乙二醇甲醚中，并加入稳定剂，50°C水浴加热搅拌Ih，得到胶体； 步骤3):利用旋涂法将步骤2)制备的胶体涂覆在步骤1)所得的烘干玻璃片上，经280 °C 烤制成铜锌锡硫预制层薄膜;重复数次以达到所需薄膜厚度，膜厚800nm; 步骤4):把步骤3)制得的铜锌锡硫预制层薄膜样品放入石英舟，再放进硫化炉中的石 英玻璃管内，用机械栗对石英玻璃管抽真空，到5pa以下后关闭机械栗;然后往炉中的石英 玻璃管通入N2气体，流量为180sccm，通IOmin后保持通入N 2气体，再通入H2S气体，流量为 2〇SCCm;十分钟之后，开始让硫化炉升温，Ih后升到580°C，保持温度lh，随后用冷却水冷却 4h至室温，制得太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜； 步骤5):将步骤4)制得的铜锌锡硫薄膜置于真空蒸发炉的蒸发腔内；将硫化铟粉末置 于蒸发舟中，再放进蒸发腔内；将蒸发腔抽真空后，对负载有铜锌锡硫薄膜的玻璃基片进行 加热或不加热处理，若进行加热处理，将基片温度加热至100~200°C;随后加电流对蒸发舟 进行加热，至蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发，此时电流为100A，然后停止蒸发，得到铜锌 锡硫/硫化铟异质结。2. 根据权利要求1所述一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，其特征在于：步 骤1)所述超声处理的时间均为15分钟;所述烘干的温度为100°C，烘干时间为25-40分钟。3. 根据权利要求1所述一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，其特征在于：步 骤5 )中，加电流对蒸发舟进行加热的速率为IOA/分钟。4. 根据权利要求1所述一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，其特征在于：步 骤5)中，经蒸发得到的铜锌锡硫/硫化铟异质结中硫化铟薄膜厚度为3-5nm。5. 根据权利要求1所述一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，其特征在于：步 骤5)中，置于蒸发舟中的硫化铟粉末的质量为5mg。6. 根据权利要求1所述一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，其特征在于：步 骤5)中所述蒸发舟为钼舟;抽真空时，将蒸发腔内抽至真空度为1.0 X HT3帕。
【文档编号】H01L31/072GK105957926SQ201610571895
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年7月20日
【发明人】俞金玲, 郑重明, 程树英, 赖云锋, 郑巧, 周海芳, 董丽美
【申请人】福州大学