技术编号:6886604
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及半导体处理技术,尤其涉及在半导体处理中以高选择性将电介质阻挡层刻蚀到电介质块绝缘(dielectric bulk insulating)层的方法。背景技术集成电路已发展成可以在一个芯片上包括几百万个元件(例如晶体 管、电容器和电阻器)的复杂器件。芯片设计的发展持续地需要更快的电 路和更大的电路密度。对于更大电路密度的需求使得必须减小集成电路元 件的尺度。随着集成电路元件的尺度减小(例如亚微米尺度),用于制造这些元 件的材料促成了它们的电性能...
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