技术编号:6886641
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及电容器,更具体地,涉及用于具有对称极性特 性的电容器结构的方法和系统。背景技术芯片上电容器是在硅半导体上制造的集成电路的关键部件。这些 电容器用于各种目的说明性的示例包括旁路和电容匹配以及耦合和去耦。硅半导体芯片上的电容器结构的设计和实现可以依赖于一个或 多个对称结构的、目标电路质量和低寄生电阻性能特性。更具体地,电容器结构可以分类为在两个区域中的一个中形成 (生产)线程前端(FEOL),或线程后端(BEOL)。在集成电路 制造线程中,FE...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。