技术编号：6886938
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及半导体器件，特别涉及制造半导体器件的方法，该器件具有双刻蚀停止层(ESL)应力层结构。 背景技术已经发现，在CMOS器件沟道层中应变的硅的薄层用于提高这些 器件的性能特征。沟道层中应变的存在使得该层中的个体硅原子比非 应力材料中的硅原子在晶格结构中彼此更远离或接近。更大或更小的 晶格间距导致了器件的电子能带结构中的变化，从而载流子(即电子 和空穴)在沟道层中具有更高的迁移率，因此导致在晶体管中更高的 电流和更快的电路速度。在CMOS器件中，应...
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