技术编号：6886983

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本发明的实施方案涉及正一本征一负(PIN)或者负一本征一正 (NIP)光电二极管阵列，以及制造PIN/NIP光电二极管阵列的方法。背景技术正一本征一负(PIN)光电二极管(或者"PIN二极管")在本领 域中是公知的。PIN光电二极管包括夹在分别用作阳极和阴极的较重的 p掺杂和n掺杂半导体区之间的轻掺杂本征区。PIN光电二极管的传感 器表面通常涂覆有氧化物或氮化物钝化层。PIN 二极管的名字源于正、 本征和负(P-I-N)材料的叠层顺序。一般来说，光电二极管...
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