技术编号：6887624
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体熔丝结构，该熔丝结构包括具有表面的衬底，该衬底在表面处具有场氧化物区，该熔丝结构还包括熔丝本体，熔丝本体包括多晶硅，熔丝本体位于场氧化物区上方并沿着电流流动方向延伸，其中该熔丝结构可通过使电流流经熔丝本体而编程。本发明还涉及包括这种半导体熔丝结构的集成电路。本发明还涉及制造半导体熔丝结构的方法。背景技术用于半导体的熔丝具有广泛的应用，如管芯ID、存储器中的冗余、加密等。因为多晶硅熔丝可以电编程，这减小了编程成本并提高了灵活性，多晶硅熔丝...
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