技术编号：6888232
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及一种制造集成电子电路的工艺，该工艺包含要求晶圆表面的金属 层和半导体衬底之间的电压阈值的工艺(诸如ECD或孔形成)。背景技术随着ULSI器件的尺寸减小和高度集成变得越来越复杂，希望用Cu来代替Al合金 用于超大规模集成(ULSI)互连。当前，双嵌入制造工艺被认为是标准的互连技术，其中采 用溅射方法(物理汽相淀积(PVD))在通孔或沟槽的内壁上先后沉积金属阻挡层和Cu种子 层，然后采用电化学沉积(ECD)方法将Cu互连嵌入进通孔或沟槽中。存在很...
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