技术编号：6888905
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实例涉及电子制造业，尤其涉及非易失性电荷俘获存储器件的制造。 背景技术非易失性电荷俘获存储器件的复合界面，例如半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导 体(S0N0S)结构的一氧化硅界面，对形成界面陷阱的悬挂键非常敏感。这些界面陷阱 乐意接受活动载体(电子或漏洞)造成的各种问题，如器件阈值电压(Vt)的交换或击穿 的绝缘层，如S0N0S器件的隧穿氧化层。此外，内建的活动载体可能增加非易失性电荷 俘获半导体存储器件单元的反向遂穿电流，从而更快地消退储存数...
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