技术编号:6889367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上系关于,且更 详言之,系关于嵌入之硅锗。背景技术大多数现今集成电路(integrated circuit, IC)系藉由使用多个相互连 接的场效晶体管(fieldeffecUransistor, FET)而实施,该场效晶体管也称 为金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET),或者简称为MOS晶体管。FET包含栅电极作为 控制电极、及分隔开之源极...
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