技术编号:6890708
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般涉及半导体器件,更特别地,涉及引入与场屏蔽 耦合的半导体器件的半导体结构。背景技术在后段制程(BEOL)部分的晶片加工期间,绝缘体上硅(SOI)技术, 特别是部分耗尽的SOI技术,经常遭受破坏。具体地,在加工工具中金属 线路的充电可以使电流在离开衬底晶片之前从晶片上导线(on-wafer wires)经过半导体器件流入掩埋氧化物(BOX)。在BOX中该电流的存 在可导致俘获的电子电荷。在BOX中的俘获的电子电荷可改变半导体器 件的电特性,...
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