技术编号:6890913
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有双金属栅极(dual metal gate)的互补式金属氧化物半 导体(complementary metal-oxide semiconductor,以下简4尔为CMOS)元件的制 作方法,尤指一种实施后栅极(gate last)工艺的具有双金属栅极CMOS元件 的制作方法。背景技术随着CMOS元件尺寸持续微缩,传统方法中利用降低栅极介电层,例 如降低二氧化硅层厚度,以达到最佳化目的的方法,面临到因电子的穿遂效应(tunnelingef...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。