技术编号:6891140
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体结构,更具体地,本发明涉及具有增强性能的源 和漏区的。背景技术除了电阻器、二极管和电容器之外,半导体电路一般还包括晶体管。包 括在半导体电路内的特别普通的晶体管是场效应晶体管。在半导体电路内场 效应晶体管可以用作开关器件和信号处理器件中任一或两者。场效应晶体管通常包括位于栅电介质之上的栅电极,而栅电介质位于半 导体衬底内的沟道区域上方。沟道区域分离半导体衬底内的 一对源和漏区。 此外,场效应晶体管典型地包括与栅电极的侧壁相邻且接合的间隔...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。