技术编号：6891189
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别涉及一种采用2次以上的光刻法合成可形成微细间距的图案的。背景技术近年，光刻法技术的进展导致半导体电路图案的微细化加强，其主 要是由曝光光源的短波长化引起的。但是，不仅只短波长曝光装置的价格上涨导致经济问题，而且短波 长光刻法技术所必要的装置、材料、掩膜等涉及多方面的技术问题，且 解决上述问题其本身的难度高，故采用短波长化以外的方法进行的图案 微细化的研究，已从多方面开始进行。另外，32nm节点装置的制造中，使用高折射率的NA~ 1.6左...
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