技术编号:6891375
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体设备的方法,该方法包括一个双重镶嵌结构,此双重镶嵌结构包括一个金属层及位于金属层之上的带有通路的第一绝缘层,还包括在第一绝缘层之上的带有互连槽的第二绝缘层,其中通路和互连槽中存在有顶面的金属线路形成的金属。背景技术 这样的方法在WO-A-0019 523中获得。在已知的方法中,在一衬底上获得第一金属布线图,其上铺有具有低介电系数的第一层绝缘物质,也可指“低K”绝缘层。第一绝缘层之上为一个起侵蚀阻挡层作用,并带有通路模型的层,然后是一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。