技术编号:6891562
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基板处理装置,特别涉及具有由外部腔室和收容在该 外部腔室中的内部腔室所构成的双重结构腔室的基板处理装置。背景技术在由作为基板的晶片制造半导体设备的半导体制造工艺中,利用 使用处理气体的化学反应的处理正在被广泛应用。作为符合利用化学反应的处理(以下称作"化学反应处理"),例如,有在除去抗蚀剂(resist) 膜的灰化时,通过甲硅垸基(silyl)化气体对已损伤的低介电率绝缘膜 (Low-k膜)进行修复的处理。此外,在半导体制造工艺中, 一直以来大多...
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