专利名称：基板处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及基板处理装置，特别涉及具有由外部腔室和收容在该 外部腔室中的内部腔室所构成的双重结构腔室的基板处理装置。
背景技术：
在由作为基板的晶片制造半导体设备的半导体制造工艺中，利用 使用处理气体的化学反应的处理正在被广泛应用。作为符合利用化学反应的处理(以下称作"化学反应处理")，例如，有在除去抗蚀剂(resist) 膜的灰化时，通过甲硅垸基(silyl)化气体对已损伤的低介电率绝缘膜 (Low-k膜)进行修复的处理。此外，在半导体制造工艺中， 一直以来大多使用真空处理，例如 蚀刻处理、灰化处理、CVD处理。在这些真空处理之后，若将实施过 该真空处理的晶片在大气中进行搬送，则有可能引起各种不良状况。 具体地说，在CVD处理中形成的金属层上通过自然氧化而生成氧化膜， 该氧化膜会在半导体设备中引起导通不良。另外，Low-k膜进行吸湿。 甲硅烷基化气体(例如，Si(CH3)3-N(CH3)2)与水的羟基(OH基)发 生反应，生成副反应生成物(Si(CH3)3-0-Si(CH3)3)。该副反应生成物 会将通过蚀刻形成的沟槽(trench:沟)或孔(穴)填埋。因此，尤其是在对实施过真空处理的晶片接着实施化学反应处 理的情况下，优选使用将该晶片在真空处理之后不暴露于大气中，而 是在真空中或者非活性气体环境中进行搬送并将其搬入到化学反应处 理用的处理室(腔室)的搬送方法。此外， 一直以来公知的是具有由被维持在真空的外部腔室和收容 在该外部腔室内的空间中的内部腔室构成的双重结构腔室的基板处理 装置(例如，参照专利文献l)。在该基板处理装置中，将外部腔室内 的空间维持在真空并且向内部腔室内的空间导入处理气体，而且，将 实施过真空处理后的晶片在外部腔室内的空间中进行搬送并向内部腔室内的空间搬送，由此，能够实现上述的搬送方法。但是，由于作为处理气体的甲硅烷基化气体价格昂贵，优选降低 其使用量。即，谋求使处理气体的使用量尽可能地削减，进一步地引 申其含意，谋求使处理气体所导入的内部腔室内的空间容量降低。另一方面，在具有上述双重结构的腔室的基板处理装置中，为了 将晶片搬入到内部腔室内的空间，而在内部腔室的侧壁设置有晶片搬 入搬出口，或者，设置有配置在该内部腔室上部的能够对开口部进行 开闭的上盖。在这样的内部腔室中，为了搬入晶片，而有必要使用于 搬送晶片的臂部经由晶片搬入搬出口或者开口部进入到内部腔室内的 空间。这时，为了防止臂部与内部腔室的构成部件接触，而必须确保 该臂部与构成部件的间隙，其结果是，存在不能减小内部腔室内的空 间容量的问题。专利文献l:特开61-291965号公报发明内容本发明的目的在于提供一种能够减小内部腔室内的空间容量的基 板处理装置。为了实现上述目的，本发明第一方面所述的基板处理装置，其包括外部腔室；收容在该外部腔室内的空间中的内部腔室；和向该内部腔室内的空间供给处理气体的气体供给部，其中，所述外部腔室内 的空间被减压或者向该空间中填充非活性气体，所述内部腔室具有与 其他构成部件构成该内部腔室内的空间的可动构成部件，当通过搬送 基板的搬送臂搬入搬出所述基板时，所述可动构成部件从所述搬送臂 的可动区域退出。本发明第二方面所述的基板处理装置是在第一方面所述的基板 处理装置中，上述其他构成部件是用于装载上述基板的装载台，上述 可动构成部件是用于覆盖上述装载台的盖状部件，当通过上述搬送臂 搬入搬出上述基板时，上述盖状部件从上述装载台离开。本发明第三方面所述的基板处理装置是在第一方面所述的基板 处理装置中，上述可动构成部件是用于装载上述基板的装载台，上述 其他构成部件是用于覆盖上述装载台的盖状部件，当通过上述搬送臂搬入搬出上述基板时，上述盖状部件从上述盖状部件离开。本发明第四方面所述的基板处理装置是在第一至第三方面中任 一方面所述的基板处理装置中，上述可动构成部件和上述其他构成部 件具有加热装置。本发明第五方面所述的基板处理装置是在第一方面至第四方面 中任一方面所述的基板处理装置中，上述气体供给部具有与上述内部 腔室内的空间连接的气体供给管，该气体供给管具有开闭该气体供给 管的开闭阀，该开闭阀被配置在上述内部腔室的附近。依据第一方面所述的基板处理装置，当通过搬送基板的搬送臂将 基板搬入搬出时，构成内部腔室内的空间的可动构成部件从搬送臂的 可动区域退出。因此，搬送臂与可动构成部件不发生接触，所以在内 部腔室中不需要确保臂与可动构成部件的间隙。其结果是，能够减小 内部腔室内的空间的容量。依据第二方面所述的基板处理装置，当通过搬送臂将基板搬入搬 出时，作为可动构成部件的盖状部件与作为其他构成部件的装载台分 离。由于盖状部件的移动机构具有比较简单的构造，所以能够使基板 处理装置的结构变得简单。依据第三方面所述的基板处理装置，当通过搬送臂将基板搬入搬 出时，作为可动构成部件的装载台与作为其他构成部件的盖状部件分 离。虽然在盖状部件会有附着有反应生成物的状况，但是由于该盖状 部件不移动，所以能够防止反应生成物由于移动的冲击而从盖状部件 剥离，因而，能够防止异物附着于被装载在装载台上的基板上。依据第四方面所述的基板处理装置，可动构成部件和其他构成部 件具有加热装置。基板所具有的低介电率绝缘膜的修复处理通过加热 而被促进。因此，能够迅速地修复低介电率绝缘膜。依据第五方面所述的基板处理装置，在与内部腔室内的空间连通 的气体供给管中，开闭阀被配置在内部腔室的附近。由此，当开闭阀 将气体供给管封闭时，能够减小气体供给管的连通于内部腔室内的空 间的部分的容量，因而，能够可靠地降低处理气体的使用量。
图1是简要表示本发明第一实施方式所涉及的基板处理装置的结 构的截面图。图2是表示图1中的机壳(enclosure)从机壳基部(台加热器)分 离后的状态的截面图。图3是简要表示本发明第二实施方式所涉及的基板处理装置的结 构的截面图。图4是表示图3中的台加热器从机壳分离后的状态的截面图。符号说明W晶片ES、 ES'、 LS、 IS、 IS' 空间 10、 30基板处理装置 12搬送臂13、 31外部腔室14、 32内部腔室 17、 34台加热器 18机壳基部19、 35机壳(enclosure) 21、 36推动销23、 37处理气体供给部 23a、 37a气体供给管 23b、 37b供给侧开闭阀24、 38处理气体排气部 24a、 38a气体排气管 24b、 38b排气侧开闭阀具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。 首先，对本发明的第一实施方式涉及的基板处理装置进行说明。 图1是简要表示本实施方式的基板处理装置的结构的截面图。 在图1中，对于基板处理装置10而言，其与作为用于搬送半导体晶片(以下，简称为"晶片")W的搬送室的负载锁定腔室11邻接配置。 该负载锁定腔室11具有用于装载晶片W并对其进行搬送的后述的搬 送臂12，负载锁定腔室11内的空间LS被维持在真空。基板处理装置10具备与负载锁定腔室11连接的筐体状的外部腔室13，以及被收容在该外部腔室13内的空间ES中的内部腔室14。 外部腔室13内的空间ES通过图中未表示的排气装置而被减压，其大 致被维持在真空状态。此外，外部腔室13在其侧壁上具有将空间LS 和空间ES相互连通的晶片搬入搬出口 15。该晶片搬入搬出口 15通过 负载锁定腔室11所具有的滑动阀状的闸阀16进行开闭。内部腔室14是配置在空间ES下部的圆板状部件，其包括内置 有加热器(图中未表示)(加热装置)，并且起到装载晶片W的装载台 作用的台加热器17 (其他构成部件)；从外部腔室13的底部竖起设置 的，作为以将台加热器17的周围包围的方式配置的圆环状部件的机壳 基部18 (其他构成部件)；和作为以覆盖台加热器17以及机壳基部18 的方式配置的圆板盖状部件的机壳19 (可动构成部件)。在台加热器17上配置有多个推动销(pushpin) 21，该推动销21 从台加热器17的表面自由地突出。此外，推动销21在晶片W的背面 将其支撑。即使推动销21相对于台加热器17位于最下方时，该推动 销21也会从台加热器17的表面突出少许，因此，晶片W以与台加热 器17分离少许的方式而被载置。机壳19通过杆(rod) 20与移动机构连接，沿图中的空心箭头方 向自由移动。这里，由于移动机构只要将机壳19移动即可，所以能够 以比较简单的构造实现。并且，机壳19具有以将其周边包围的方式设 置的，并朝向机壳基部18突出的圆筒状的侧壁19a。此外，机壳19也 内置有加热器(图中没有表示)(加热装置)。在机壳19与机壳基部18连接的情况下，台加热器17、机壳基部 18和机壳19构成空间IS。在台加热器17和机壳基部18、机壳基部 18和机壳19的侧壁19a、以及台加热器17和推动销21之间配置有O 环22，从而使空间IS相对于空间ES密封。在此，当空间IS收容有晶 片W时，推动销21相对于台加热器17位于最下方。因此，能够使空 间IS的高度降低，因而，能够使空间IS的容量减小。此外，基板处理装置IO，具备向空间IS供给处理气体和氮气(N2气体)的处理气体供给部23，以及对该空间IS的处理气体进行排气的 处理气体排气部24。处理气体供给部23具有设置于外部腔室13的外边的气体供给 管23a，设置于该气体供给管23a上并且对该气体供给管23a进行开闭 的供给侧开闭阀23b，以及贯通外部腔室13的壁部和机壳基部18并且 与机壳19相对开口的气体供给孔23c。气体供给孔23c和气体供给管23a与空间IS连通，通过气体供给 孔23c、供给侧开闭阀23b和气体供给管23a从外部气体供给装置(图 中未表示)供给处理气体。在处理气体供给部23中，供给侧开闭阀23b 配置在内部腔室14的附近，具体地说其是以与外部腔室13邻接的方 式配置。当供给侧开闭阔23b将气体供给管23a关闭时，与空间IS连 通的部分只有气体供给孔23c。处理气体排气部24具有设置于外部腔室13的外边的气体排气 管24a，设置于该气体排气管24a并且对该气体供给管24a进行开闭的 供给侧开闭阀24b，以及贯通外部腔室13的壁部和机壳基部18并且与 机壳19相对开口的气体供给孔24c。气体排气孔24c和气体排气管24a与空间IS连通，经由气体排气 孔24c、排气侧开闭阀24b和气体排气管24a通过外部的排气装置(图 中未表示)对空间IS内的处理气体进行排气。在处理气体排气部24 中，排气侧开闭阀24b被配置在内部腔室14的附近，具体地说以与外 部腔室13邻接的方式配置。当排气侧开闭阀24b将气体排气管24a关 闭时，与空间IS连通的部分就只有气体排气孔24c。通常，Low-k膜具有以下列化学式(1)表示的、在终端部具备作 为有机成分的甲基的结构。<formula>formula see original document page 9</formula> …(1)<formula>formula see original document page 9</formula>当对具有该Low-k膜和抗蚀剂膜的晶片W通过灰化处理等实施抗 蚀剂膜除去处理时，Low-k膜的结构变化成下列化学式(2)所示的结 构(Low-k膜发生损伤)<formula>formula see original document page 9</formula> … (2)<formula>formula see original document page 9</formula>在化学式(2)所示的结构中，在终端部存在有羟基，由于不存在 有机成分，所以该结构的膜不能作为Low-k膜而发挥作用。因此，使 用上述甲硅烷基(silyl)化气体将终端部的羟基置换为有机成分。具体 地说，是上述化学式(2)的结构的膜和甲硅烷基化气体发生反应得到 下列化学式(3)所示的结构。由此，通过甲硅烷基化气体将Low-k膜 修复。<formula>formula see original document page 10</formula>当机壳19与机壳基部18相接并且空间IS将具有已损伤的Low-k 膜的晶片W收容时，从处理气体供给部23向空间IS供给甲硅烷基化 气体(例如，Si(CH3)3-N(CH3)2)和氮气。当在空间IS被填充一定量的 甲硅垸基化气体和氮气时，处理气体供给部23通过供给侧开闭阀23b 将气体供给管23a闭锁，同时处理气体排气部24通过排气侧开闭阀24b 将气体排气管24a闭锁。由此，空间IS被封闭，其压力被维持在 l,3xl03Pa (lOTorr) 6.67xl03Pa (50Torr)。在空间IS内，甲硅烷基化 气体与具有上述化学式(2)所示结构的已损伤的Low-k膜反应，该 Low-k膜被修复。此外，由于甲硅垸基化气体与己损伤的Low-k膜的 反应能够通过热而被促进，因此，机壳19内的加热器和台加热器17 的加热器将晶片W加热，从而使Low-k膜的修复处理促进。然后，在 一定时间的封锁之后，处理气体排气部24将空间IS内的甲硅烷基化 气体等排出。此外，如图2所示，在基板处理装置10中，当通过搬送臂12将 晶片W搬入搬出时，与机壳基部18相接的机壳19从台加热器17向 图中上方以从搬送臂12的可动区域退出的方式分离。这里的机壳19 向上方的移动量被设定为用于搬入搬出晶片W而进入到机壳19和台 加热器17之间的搬送臂12即使摆动振动也不会接触机壳19的移动量， 例如被设定为35mm。此外，不移动的台加热器17被配置在即使搬送 臂12从原处摆动振动也不会与其接触的位置。g卩，在基板处理装置10 中，通过搬送臂12将晶片W搬入搬出时，搬送臂12与台加热器17 和机壳19不发生接触。此外，为了容易地从搬送臂12向台加热器17传递晶片W，推动销21从台加热器17的表面突出。此外，这时的推动销21的突出量被设定为比机壳19向上方的移动量小，因此晶片W不会隐藏在机壳19 的侧壁19a。依据本实施方式的基板处理装置，如上所述，当通过搬送臂12将 晶片W搬入搬出时，搬送臂12与台加热器17和机壳19不接触，因 此没有必要考虑起初台加热器17和机壳19构成空间IS时搬送臂12 与台加热器17和机壳19的接触。其结果是，在内部腔室14中没有必 要确保搬送臂12与台加热器17和机壳19的间隙，从而能够减小空间 IS的容量。此外，在本实施方式中，在机壳19与机壳基部18相接的 情况下的空间IS的容量例如被设定为0.4L。在上述的基板处理装置10中，具有己损伤的Low-k膜的晶片W 在被维持于真空的负载锁定腔室11内的空间LS和被维持于大致真空 的外部腔室13内的空间ES中而被搬送。因此，己损伤的Low-k膜不 会发生吸湿，能够防止在使用甲硅烷基化气体的Low-k膜的修复处理 中生成副反应生成物。此外，在上述的基板处理装置10中，通过搬送臂12将晶片W搬 入搬出时，机壳19与机壳基部18 (台加热器17)分离。由于机壳19 的移动机构具有比较简单的结构，因此能够使基板处理装置10的结构 简单化。在上述的基板处理装置10中，机壳19和台加热器17内置有加热 器。上述的Low-k膜的修复处理通过加热而被促进。因此，能够迅速 地将已损伤的Low-k膜修复。此外，在上述的基板处理装置10中，在与空间IS连通的气体供 给管23a和气体排气管24a上，供给侧开闭阀23b和排气侧开闭阀24b 与外部腔室13邻接配置。由此，当供给侧开闭阀23b和排气侧开闭阀 24b将气体供给管23a和气体排气管24a闭锁时，与被填充有甲硅烷基 化气体的空间IS连通的部分只有气体供给孔23c和气体排气孔24c。 因此，能够减小连通于空间IS的部分的容量，因而，在上述的Low-k 膜的修复处理中，能够可靠地减小甲硅垸基化气体的使用量。接下来，对本发明的第二实施方式的基板处理装置进行说明。图3是简要地表示本实施方式的基板处理装置的结构的截面图。在图3中，基板处理装置30也与负载锁定腔室11邻接配置。 基板处理装置30包括连接于负载锁定腔室11的筐体状的外部腔室31，和收容在该外部腔室31内的空间ES'中的内部腔室32。外部 腔室31内的空间ES'大致被维持在真空状态。内部腔室32是通过杆33支撑的圆板状部件，其包括内置有加 热器(图中未表示)(加热装置)并且起到装载晶片W的装载台作用 的台加热器34 (可动构成部件)，和作为以覆盖台加热器34的方式配 置的圆板盖状部件的机壳35 (其他构成部件)。台加热器34通过杆33与移动机构连接，沿图中的空心箭头方向 自由移动。并且，在台加热器34上配置有多个与推动销21具有同样 功能的多个推动销36。机壳35通过多个杆39而被悬挂支撑在外部腔室31的顶部。此外， 机壳35具有以将其周边部包围的方式配置的，并且朝向台加热器34 突出的圆筒状的侧壁35a。此外，机壳35也内置有加热器(图中没有 表示)(加热装置)。当机壳35与台加热器34相接时，台加热器34和机壳35构成空 间IS'。在台加热器34和机壳35的侧壁35a、以及台加热器34和推动 销36之间配置有0环22，从而将空间IS'从空间ES'隔离密封。此外，基板处理装置30具有向空间IS'供给处理气体和氮气的 处理气体供给部37，以及对该空间IS'的处理气体进行排气的处理气体 排气部38。处理气体供给部37具有设置在外部腔室31的外部的气体供给 管37a;设置在该气体供给管37a上并且对该气体供给管37a进行开闭 的供给侧开闭阀37b;和贯通外部腔室31的壁部、杆39以及机壳35 且相对台加热器34开口的气体供给孔37c。在处理气体供给部37中， 供给侧开闭阀37b以与外部腔室31邻接的方式配置。当供给侧开闭阀 37b将气体供给管37a闭锁时，与空间IS'连通的部分只有气体供给孔 37c。处理气体排气部38具有设置在外部腔室31的外部的气体排气 管38a;设置在该气体排气管38a上并且对该气体排气管38a进行开闭 的排气侧开闭阀38b;和贯通外部腔室31的壁部、杆39以及机壳35且相对台加热器34开口的气体排气孔38c。在处理气体排气部38中， 排气侧开闭阀38b以与外部腔室31邻接的方式配置。当排气侧开闭阀 38b将气体排气管38a闭锁时，与空间IS'连通的部分只有气体排气孔 38c。当台加热器34与机壳35相接且空间IS'将具有已损伤的Low-k膜 的晶片W收容时，从处理气体供给部37向空间IS'供给甲硅烷基化气 体、氮气。当在空间IS'填充一定量的甲硅垸基化气体、氮气时，空间 IS'被封闭。这时，在空间IS'内实施上述的Low-k膜的修复处理。此外， 机壳35内的加热器和台加热器34的加热器对晶片W进行加热以促进 Low-k膜的修复处理。然后，在一定时间的封闭之后，处理气体排气 部38将空间IS'内的甲硅烷基化气体等排出。此外，如图4所示，在基板处理装置30中，当通过搬送臂12将 晶片W搬入搬出时，与机壳35相接的台加热器34从机壳35向图中 的下方，以从搬送臂12的可动区域退出的方式分离。这里的台加热器 34向下方的移动量被设定为用于搬入搬出晶片W而进入到台加热器 34和机壳35之间的搬送臂12即使摆动振动也不会接触台加热器34 的移动量。此外，不移动的机壳35被配置在即使搬送臂12从原处摆 动振动也不会与其接触的位置。即，在基板处理装置30中，当通过搬 送臂12将晶片W搬入搬出时，搬送臂12与台加热器34和机壳35不 接触。此外，为了容易地从搬送臂12向台加热器34传递晶片W，推动 销36从台加热器34的表面突出。此外，这时的推动销36的突出量被 设定为比向机壳35的下方的移动量小，因此，晶片W不会埋没在机 壳35的侧壁35a。依据本实施方式的基板处理装置，如上所述，当通过搬送臂12将 晶片W搬入搬出时，搬送臂12与台加热器34和机壳35不接触，在 内部腔室32中没有必要确保搬送臂12与台加热器34和机壳35的间 隙，因此能够减小空间IS'的容量。此外，在基板处理装置30中，当通过搬送臂12将晶片W搬入搬 出时，台加热器34与机壳35分离。在上述Low-k膜的修复处理中， 虽然在机壳35附着有副反应生成物，但是由于该机壳35不移动，因此能够防止副反应生成物在移动的冲击中从机壳35剥离，因而，能够防止副反应生成物作为异物附着在装载于台加热器34的晶片W上。在上述的各实施方式中，向内部腔室14 (32)内的空间IS (IS') 供给甲硅垸基化气体，作为化学反应处理实施上述的Low-k膜的修复 处理，但是能够实施的化学反应处理并不局限于此。例如，也可以使 用溴化氢气体的等离子体实施将蚀刻多晶硅层时所生成的SiOBr层通 过氟化氢气体除去的处理(HTS处理)。这时，向空间IS (IS')中供 给氟化氢气体，但是氟化氢气体是腐蚀性气体，如果其从空间IS (IS') 向外部流出则有可能引起将存在于该外部的部件腐蚀等的不良状况。 但是，在处理装置10 (30)中，由于只将氟化氢气体供给到被收容在 外部腔室13 (31)内的空间ES (ES')中的内部腔室14 (32)的空间 IS (ISO中，例如，即使氟化氢气体从空间IS (IS')泄露，也只不过 泄露在空间ES (ES')中，不会泄露到外部。因此，能够确保对于气 体泄漏的安全性。此外，在上述的各实施方式中，虽然负载锁定腔室11内的空间LS 被维持在真空并且外部腔室13 (31)内的空间ES (ES')被维持在大 致真空，但是也可以向空间LS和空间ES (ES')中充填非活性气体。 这时被搬送的晶片W上已损伤的Low-k膜也不会吸湿，其结果是，能 够防止副反应生成物的生成。此外，供给侧开闭阀23b (37b)和排气侧开闭阀24b (38b)也可 以以与内部腔室14 (32)邻接的方式配置。此外，在上述实施方式中，基板虽然是半导体晶片W，但是基板 并不局限于此，例如也可以是LCD (Liquid Crystal Display:液晶显示 器)、FPD (Flat Panel Display:平板显示器)等的玻璃基板。
权利要求
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括外部腔室；收容在该外部腔室内的空间中的内部腔室；和向该内部腔室内的空间供给处理气体的气体供给部，其中，所述外部腔室内的空间被减压或者向该空间中填充非活性气体，所述内部腔室具有与其他构成部件构成该内部腔室内的空间的可动构成部件，当通过搬送基板的搬送臂搬入搬出所述基板时，所述可动构成部件从所述搬送臂的可动区域退出。
2. 根据权利要求l所述的基板处理装置，其特征在于 所述其他构成部件是用于装载所述基板的装载台，所述可动构成部件是用于覆盖所述装载台的盖状部件，当通过所述搬送臂搬入搬出所述基板时，所述盖状部件从所述装 载台离开。
3. 根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于 所述可动构成部件是用于装载所述基板的装载台，所述其他构成部件是用于覆盖所述装载台的盖状部件，当通过所述搬送臂搬入搬出所述基板时，所述装载台从所述盖状 部件离开。
4. 根据权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于: 所述可动构成部件和所述其他构成部件具有加热装置。
5. 根据权利要求1 4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于: 所述气体供给部具有与所述内部腔室内的空间连通的气体供给管，该气体供给管具有用于开闭该气体供给管的开闭阀，该开闭阀被 配置在所述内部腔室的附近。
全文摘要
本发明提供一种能够减小内部腔室内的空间容量的基板处理装置。该基板处理装置(10)包括外部腔室(13)、收容在该外部腔室(13)内的空间(ES)中的内部腔室(14)、和用于向该内部腔室(14)内的空间(IS)中供给处理气体的处理气体供给部(23)，外部腔室(13)内的空间(ES)被维持在大致真空，内部腔室(14)具有与台加热器(17)和机壳基部(18)一起构成该内部腔室(14)内的空间(IS)的机壳(19)，当利用搬送晶片W的搬送臂(12)搬入搬出基板时，机壳(19)以从搬送臂(12)的可动区域退出的方式与机壳基部(18)(台加热器(17))分离。
文档编号H01L21/02GK101236894SQ20081000894
公开日2008年8月6日 申请日期2008年1月31日 优先权日2007年1月31日
发明者田原慈, 高山星一, 高梨守弘 申请人:东京毅力科创株式会社