技术编号:6892289
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及起布置在反相器等中的高耐压半导体功率器件作用的半导体器件,特别涉及一些有关提高电流驱动能力和耐压的措施。图4为文献(Silicon Carbide;A Review of Fundamental Questionsand Applications to Current Device Technology,edited byW.J.Choyke,H.Matsunami,and G.Pensl,Akademie Verlag 1997 Vol.IIP...
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