技术编号:6892852
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体非易失性存储器件制作时的干法蚀刻方法,具体地说, 涉及一种。背景技术闪存是一种非易失存储器,其在系统断电的情况下,依然能够存储电荷。闪存的存储单元是一个MOS管,但其构造和一般的MOS管略有不同。闪存 MOS管的结构如图1所示,该闪存MOS管区域1的结构自下而上包括硅衬底 10、门极氧化层11、浮栅12、极间氧化层13和控制栅极(未图示)。浮栅12 是由氮化硅(Si3N4)薄膜制成,用于存储电荷。门极氧化层11和极间氧化层13 均为二氧化硅...
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