技术编号：6893218
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种在BCD工艺流程中制作全自对准高压N型匿OS器件的方法。本发明还涉及一种全自对准高压N型匿OS器件。背景技术BCD(双极-CMOS-DMOS)工艺流程在电源管理中有着广泛的应用价值，其中高压匿OS器件是最重要的器件类型。从尽可能减少芯片功耗的角度上，要求匿OS器件在保证工作电压的前提下有很小的导通电阻，因此匿OS器件的横向尺寸要尽可能地縮小。但是目前的匿OS器件大多数都采用非自对准工艺方法进行制作，例如利用沟道光...
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