技术编号:6893264
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造器件,具体涉及一种存储器单元结构,尤其涉及一种1. 5T (1. 5管)SONOS (硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)快速闪存存储器单元结构。背景技术目前在主流的2T FLASH NVM(双晶体管结构的快速存取非易失性存储器)单元存储器的单元面积比较大,由此导致特别是在较大存储容量的产品中用于数据存储部分的芯片面积很大,增加了制造成本。 如图1和图2所示,现有的双晶体管结构的快速存取非易失性存储器的存储单元由一个SONOS ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。