技术编号:6893830
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,尤其涉及一种NMOS管嵌入式双向 可控硅静电防护器件。背景技术静电放电(ESD, Electron Static Discharge )是当 一个集成电路的管脚 浮接时,大量静电荷从外向内灌入集成电路的瞬时过程,整个过程大约耗 时100ns。此外,在集成电路的静电放电时会产生数百甚至数千伏特的高 压,将集成电路中输入级的栅氧化层击穿。随着集成电路工艺的进步, MOS管的特征尺寸越来越小,栅氧化层的厚度也越来越薄,在这种趋势 下,使用高性...
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